| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-01-25 15:20 Nb接合回路プロセスにおけるエッチング技術 ～ Nb膜の反応性イオンエッチング(RIE) ～ ○前澤正明・平山文紀・スチェータ ゴルワドカル（産総研） エレソ技報アーカイブへのリンク：  SCE2007-30 |
|
| 抄録 | （和） | Nb/AlOx/Nb接合を用いた超伝導集積回路プロセスにおけるエッチング技術について報告する．Nb接合集積回路プロセスを最適化する際に得られたNb膜の反応性イオンエッチング(RIE)に関するノウハウ的な実験結果を紹介する．エッチング深さのRIE時間依存性，パターンシフト量の制御性，同一層内の短絡欠陥確率の実験結果の詳細を述べる．また，RIEプロセスにおけるプラズマが誘起する電流が接合特性へ与える影響を検討する． |
| （英） | Reactive ion etching (RIE) techniques for Nb films are presented. We report in detail experimental results which were obtained during optimization of our standard Nb/AlOx/Nb-junction technology for superconductor integrated circuits. Technical issues including dependence of etch depth on RIE time, controllability of pattern shifts and intra-layer short defects are described. We also discuss possible damage to the junctions associated with plasma-induced currents during RIE processes. | |
| キーワード | （和） | ジョセフソン接合 / 単一磁束量子回路 / RSFQ / 超伝導集積回路 / RIE / 反応性イオンエッチング / / |
| （英） | Josephson junction / Rapid Single Flux Quantum / RSFQ / Superconductor circuit / RIE / Reactive ion etching / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 458, SCE2007-30, pp. 29-33, 2008年1月. | |
| 資料番号 | SCE2007-30 | |
| 発行日 | 2008-01-18 (SCE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | エレソ技報アーカイブへのリンク：SCE2007-30 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE |
| 開催期間 | 2008-01-25 - 2008-01-25 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | デジタル，一般 |
| テーマ（英） | Digital applications |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SCE |
| 会議コード | 2008-01-SCE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Nb接合回路プロセスにおけるエッチング技術 |
| サブタイトル（和） | Nb膜の反応性イオンエッチング(RIE) |
| タイトル（英） | Technical issues of etching process for Nb-junction circuit technology |
| サブタイトル（英） | Reactive ion etching (RIE) of Nb films |
| キーワード(1)（和/英） | ジョセフソン接合 / Josephson junction |
| キーワード(2)（和/英） | 単一磁束量子回路 / Rapid Single Flux Quantum |
| キーワード(3)（和/英） | RSFQ / RSFQ |
| キーワード(4)（和/英） | 超伝導集積回路 / Superconductor circuit |
| キーワード(5)（和/英） | RIE / RIE |
| キーワード(6)（和/英） | 反応性イオンエッチング / Reactive ion etching |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前澤 正明 / Masaaki Maezawa / マエザワ マサアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平山 文紀 / Fuminori Hirayama / ヒラヤマ フミノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | スチェータ ゴルワドカル / Sucheta Gorwadkar / スチェータ ゴルワドカル |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第4著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第5著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-01-25 15:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SCE |
| 資料番号 | SCE2007-30 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.458 |
| ページ範囲 | pp.29-33 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2008-01-18 (SCE) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]