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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-01-30 14:20 Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope ○Maciej Ligowski（Shizuoka Univ./Warsaw Univ. of Tech.）・Ratno Nuryadi・Akihiro Ichiraku・Miftahul Anwar（Shizuoka Univ.）・Ryszard Jablonski（Warsaw Univ. of Tech.）・Michiharu Tabe（Shizuoka Univ.）  ED2007-239 SDM2007-250 |
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| 抄録 | （和） | Dopant ionization was investigated by Kelvin Probe Force Microscope (KFM) measurements of surface potential of the thin silicon-on-insulator field-effect-transistor (SOI-FET) at different temperatures. In the resultant images it is observed that the surface potential is modulated by the temperature which indicates that the number of ionized dopant is changing. Also complementary simulation based on Poisson equation was performed. The results are qualitatively in agreement with the measured values. They show decreasing number of carriers when temperature is lowered. This result and interpretation are consistent with the previous freeze-out effect studies. However, direct observation of freeze-out effect hasn稚 been reported yet. We believe this is a significant progress towards single dopant observation. |
| （英） | Dopant ionization was investigated by Kelvin Probe Force Microscope (KFM) measurements of surface potential of the thin silicon-on-insulator field-effect-transistor (SOI-FET) at different temperatures. In the resultant images it is observed that the surface potential is modulated by the temperature which indicates that the number of ionized dopant is changing. Also complementary simulation based on Poisson equation was performed. The results are qualitatively in agreement with the measured values. They show decreasing number of carriers when temperature is lowered. This result and interpretation are consistent with the previous freeze-out effect studies. However, direct observation of freeze-out effect hasn稚 been reported yet. We believe this is a significant progress towards single dopant observation. | |
| キーワード | （和） | dopant ionization / freeze-out effect / KFM / Kelvin Probe Force Microscope / / / / |
| （英） | dopant ionization / freeze-out effect / KFM / Kelvin Probe Force Microscope / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 474, SDM2007-250, pp. 11-16, 2008年1月. | |
| 資料番号 | SDM2007-250 | |
| 発行日 | 2008-01-23 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-239 SDM2007-250 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2008-01-30 - 2008-01-31 |
| 開催地（和） | 北海道大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスとおよび関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-01-ED-SDM |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Dopant ionization in silicon nanodevices investigated by Kelvin Probe Force Microscope |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | dopant ionization / dopant ionization |
| キーワード(2)（和/英） | freeze-out effect / freeze-out effect |
| キーワード(3)（和/英） | KFM / KFM |
| キーワード(4)（和/英） | Kelvin Probe Force Microscope / Kelvin Probe Force Microscope |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Maciej Ligowski / Maciej Ligowski / |
| 第1著者 所属（和/英） | Shizuoka University (略称： 静岡大/Warsaw Univ. of Tech.) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ./Warsaw Univ. of Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Ratno Nuryadi / Ratno Nuryadi / |
| 第2著者 所属（和/英） | Shizuoka University (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Akihiro Ichiraku / Akihiro Ichiraku / |
| 第3著者 所属（和/英） | Shizuoka University (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | Miftahul Anwar / Miftahul Anwar / |
| 第4著者 所属（和/英） | Shizuoka University (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | Ryszard Jablonski / Ryszard Jablonski / |
| 第5著者 所属（和/英） | Warsaw University Of Technology (略称： Warsaw Univ. of Tech.) Warsaw University Of Technology (略称： Warsaw Univ. of Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | Michiharu Tabe / Michiharu Tabe / |
| 第6著者 所属（和/英） | Shizuoka University (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-01-30 14:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2007-239, SDM2007-250 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.473(ED), no.474(SDM) |
| ページ範囲 | pp.11-16 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-01-23 (ED, SDM) |
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