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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-01-30 15:55 InAs/AlGaSb 量子細線3分岐構造における非線形電子輸送 ○小山政俊・井上達也・天野直樹・藤原健司・前元利彦・佐々誠彦・井上正崇（阪工大）  ED2007-242 SDM2007-253 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-242 SDM2007-253 |
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| 抄録 | （和） | InAs/AlGaSbバリスティックデバイスにおける非線形電子輸送特性と整流効果について報告する．InAs/AlGaSbへテロ構造に3つの量子細線で構成されるT字型3分岐構造を作製し，77Kおよび300Kで左右のブランチに電圧$V_{L}$，$V_{R}$を印加した時の中央のブランチの電圧$V_{C}$を測定した．その結果，中央ブランチの電圧$V_{C}$はバリスティック伝導に起因する明瞭な非線形性を示した．また，左右のブランチに$V_{L}$ = -$V_{R}$の電圧を印加(プッシュプル形式)したときに, 印加する電圧の極性によらず$V_{C}$は負の電圧が観測された． |
| （英） | The nonlinear electron transport properties and rectification effects in InAs/AlGaSb ballistic devices are reported. We fabricated InAs/AlGaSb three-terminal ballistic junction devices composed of three quantum wires, and characterised electron transport properties with scanning the voltage on the left branch while keeping the voltage on the right constant at 77K and 300K. In these structures, we observed clear nonlinearity in the output voltage measured at the central branch. The nonlinear characteristics agreed well with a theoretical prediction. When the left branch is biased to a finite voltage V and the right to a voltage of –V (push-pull fashion), negative voltages appeared at the central branch regardless of the polarity of V. | |
| キーワード | （和） | InAs/AlGaSb へテロ構造 / バリスティック電子輸送 / 非線形電子輸送 / 量子細線 / / / / |
| （英） | InAs/AlGaSb heterostructures / Ballistic electron transport / Nonlinear electron transport / Quantum wire / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 473, ED2007-242, pp. 29-32, 2008年1月. | |
| 資料番号 | ED2007-242 | |
| 発行日 | 2008-01-23 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-242 SDM2007-253 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2007-242 SDM2007-253 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2008-01-30 - 2008-01-31 |
| 開催地（和） | 北海道大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスとおよび関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-01-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InAs/AlGaSb 量子細線3分岐構造における非線形電子輸送 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Nonlinear electron transport properties in InAs/AlGaSb three-terminal ballistic junctions |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InAs/AlGaSb へテロ構造 / InAs/AlGaSb heterostructures |
| キーワード(2)（和/英） | バリスティック電子輸送 / Ballistic electron transport |
| キーワード(3)（和/英） | 非線形電子輸送 / Nonlinear electron transport |
| キーワード(4)（和/英） | 量子細線 / Quantum wire |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小山 政俊 / Masatoshi Koyama / コヤマ マサトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 達也 / Tatsuya Inoue / イノウエ タツヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 直樹 / Naoki Amano / アマノ ナオキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst. Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤原 健司 / Kenji Fujiwara / フジワラ ケンジ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst. Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前元 利彦 / Toshihiko Maemoto / マエモト トシヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst. Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐々 誠彦 / Shigehiko Sasa / ササ シゲヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst. Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 正崇 / Masataka Inoue / イノウエ マサタカ |
| 第7著者 所属（和/英） | 大阪工業大学 (略称： 阪工大) Osaka Institute of Technology (略称： Osaka Inst. Tech.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-01-30 15:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2007-242, SDM2007-253 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.473(ED), no.474(SDM) |
| ページ範囲 | pp.29-32 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-01-23 (ED, SDM) |
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