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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-01-31 09:00 シリコンナノ構造による熱電変換デバイスの特性向上 ○池田浩也・山下尚見（静岡大）  ED2007-244 SDM2007-255 |
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| 抄録 | （和） | 実用化に対して十分な熱電変換効率を得るために，熱電変換素子にナノ構造を導入することにより特性の向上を目指している．本報告では，SOI基板上に作製した二次元シリコン平板構造のゼーベック係数と電気伝導率を測定することにより，二次元量子井戸における電子の閉じ込め効果による熱電変換特性の変化を調べた．その結果，SOI層厚６nm以上の試料に比べて，３nm厚の試料のゼーベック係数が高くなることを見出した．この結果は，SOI層厚を３nm程度まで薄くすることにより，二次元量子井戸における電子の閉じ込め効果が現れることを示唆している． |
| （英） | In order to obtain the thermoelectric characteristics enough for practical use, we make use of nanostructures in the thermoelectric devices. In this study, we measure the Seebeck coefficient and electrical conductivity of 2-dimensional (2D) Si slab structures fabricated on SOI (silicon on insulator) wafers, and we discuss the effect of the electron confinement on the thermoelectric characteristics. It is found that a 3-nm-thick SOI sample has a higher Seebeck coefficient comparing to other samples with SOI thickness above 6 nm. This result suggests that the Seebeck coefficient can be enhanced due to the electron confinement in a 2D quantum well for the SOI samples as thin as 3 nm. | |
| キーワード | （和） | 熱電変換素子 / ナノ構造 / ゼーベック係数 / SOI / 電子閉じ込め効果 / / / |
| （英） | thermoelectric device / nanostructure / Seebeck coefficient / silicon on insulator / electron confinement / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 107, no. 474, SDM2007-255, pp. 39-42, 2008年1月. | |
| 資料番号 | SDM2007-255 | |
| 発行日 | 2008-01-23 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2007-244 SDM2007-255 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM |
| 開催期間 | 2008-01-30 - 2008-01-31 |
| 開催地（和） | 北海道大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 機能ナノデバイスとおよび関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-01-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | シリコンナノ構造による熱電変換デバイスの特性向上 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of high-efficiency thermoelectric devices using Si nanostructures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 熱電変換素子 / thermoelectric device |
| キーワード(2)（和/英） | ナノ構造 / nanostructure |
| キーワード(3)（和/英） | ゼーベック係数 / Seebeck coefficient |
| キーワード(4)（和/英） | SOI / silicon on insulator |
| キーワード(5)（和/英） | 電子閉じ込め効果 / electron confinement |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 浩也 / Hiroya Ikeda / イケダ ヒロヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 尚見 / Naomi Yamashita / ヤマシタ ナオミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-01-31 09:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2007-244, SDM2007-255 |
| 巻番号（vol） | vol.107 |
| 号番号（no） | no.473(ED), no.474(SDM) |
| ページ範囲 | pp.39-42 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-01-23 (ED, SDM) |
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