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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-04-11 11:50 Si系薄膜光センサデバイス ○田井光春・昆野康隆・波多野睦子（日立）・宮沢敏夫（日立ディスプレイズ）  SDM2008-7 OME2008-7 |
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| 抄録 | （和） | ディスプレイへの機能付加を目的として，薄膜トランジスタの光誘起電流特性を調べ，光センサ素子としての適用可能性を検討した．a-Si TFTとpoly-Si TFTの光誘起電流を評価し，同程度の素子スケールでは，出力値はpoly-Si TFTの方が20倍以上高くなる一方で，S/N比はa-Si TFTの方が30倍程度良好であることが判った．また相対感度の波長依存性から，a-Si TFTの方が，標準比視感度に対する整合性が良いことが判った．加えてpoly-Si TFTのS/N比向上を目的として，オフセット構造TFTを検討し，S/N比を約6倍改善することで，poly-Si PIN型ダイオードに近い出力特性が得られることを確認した． |
| （英） | In order to integrate new functions into display panel, thin-film transistor is considered as photo-sensor device, and its photo-induced current is investigated. While the value of photo-induced current in poly-Si TFT is over 20 times as large as the one in a-Si TFT, S/N ratio of a-Si TFT is higher by 30 times of magnitude than that of poly-Si TFT. The relative sensitivity of a-Si TFT more corresponds to the spectral luminous efficiency than that of poly-Si TFT. Simultaneously, poly-Si TFT with offset structure is evaluated to improve S/N ratio and it is increased by 6 times of magnitude. The performance of offset TFT is almost same as PIN diode with poly-Si. | |
| キーワード | （和） | 光センサ / 薄膜トランジスタ / オフセット構造 / 多結晶シリコン / 非晶質シリコン / / / |
| （英） | Photo-Sensor / Thin-Film Transistor / OFFSET Structure / Polycrystalline Silicon / Amorphous Silicon / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 1, SDM2008-7, pp. 33-36, 2008年4月. | |
| 資料番号 | SDM2008-7 | |
| 発行日 | 2008-04-04 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-7 OME2008-7 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2008-04-11 - 2008-04-12 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | TFTの材料・デバイス技術・応用および一般 |
| テーマ（英） | TFT Materials, Devices, and Applications and Others related to SDM and OME activity |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si系薄膜光センサデバイス |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Application of Si Thin-Film to Photo-Sensor Device |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光センサ / Photo-Sensor |
| キーワード(2)（和/英） | 薄膜トランジスタ / Thin-Film Transistor |
| キーワード(3)（和/英） | オフセット構造 / OFFSET Structure |
| キーワード(4)（和/英） | 多結晶シリコン / Polycrystalline Silicon |
| キーワード(5)（和/英） | 非晶質シリコン / Amorphous Silicon |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田井 光春 / Mitsuharu Tai / タイ ミツハル |
| 第1著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 (略称： 日立) Central Research Lab., Hitachi, Ltd. (略称： CRL, Hitachi) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 昆野 康隆 / Yasutaka Konno / コンノ ヤスタカ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 (略称： 日立) Central Research Lab., Hitachi, Ltd. (略称： CRL, Hitachi) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 波多野 睦子 / Mutsuko Hatano / ハタノ ムツコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日立製作所中央研究所 (略称： 日立) Central Research Lab., Hitachi, Ltd. (略称： CRL, Hitachi) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮沢 敏夫 / Toshio Miyazawa / ミヤザワ トシオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日立ディスプレイズ (略称： 日立ディスプレイズ) Hitachi Displays (略称： Hitachi Displays) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-04-11 11:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-7, OME2008-7 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.1(SDM), no.2(OME) |
| ページ範囲 | pp.33-36 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-04-04 (SDM, OME) |
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