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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-04-11 16:10 原子状水素アニール処理によるペンタセンTFTの絶縁膜界面特性の向上 ○部家 彰・佐藤真彦・長谷川裕師・松尾直人（兵庫県立大）  SDM2008-13 OME2008-13 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-13 OME2008-13 |
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| 抄録 | （和） | 加熱触媒体線で分解・生成した原子状水素をゲート絶縁膜に吹き付ける「原子状水素アニール（AHA）処理」を行うことで，絶縁膜の表面改質を行い，その上に形成されるペンタセン膜の膜質を変化させるとともに，有機薄膜トランジスタの特性を向上させることを試みた．AHA処理によりゲート絶縁膜（SiO2）表面の還元反応が起こり，SiO2の表面エネルギーが42dyne/cmから39dyne/cmに変化した．また，AHA処理によりペンタセン膜の結晶粒径は増加しなかったが，Ion/offが1桁向上し，閾値電圧も65Vから16Vに減少した．これは原子状水素によりSiO2膜/Si基板界面付近の負電荷が除去されたためであると考えられる． |
| （英） | We tried to improve electrical properties of organic thin-film transistors (OTFTs) by atomic hydrogen annealing (AHA). In this method, the gate insulator (SiO2) was exposed to atomic hydrogens generated by cracking of hydrogen molecules on heated tungsten wire. The surface properties of SiO2 were changed by AHA. For the pentacene OTFT fabricated on SiO2/Si substrate, the on/off ratio was improved from 10 to 100 and the threshold voltage was decreased from 65 to 16 V by AHA. It is considered that the negative charges at interface of SiO2 film and Si substrate were removed by atomic hydrogens. | |
| キーワード | （和） | 原子状水素アニール / 有機薄膜トランジスタ / ペンタセン / 界面特性 / / / / |
| （英） | atomic hydrogen annealing / organic thin film transistor / pentacene / interface property / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 1, SDM2008-13, pp. 61-66, 2008年4月. | |
| 資料番号 | SDM2008-13 | |
| 発行日 | 2008-04-04 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-13 OME2008-13 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2008-13 OME2008-13 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2008-04-11 - 2008-04-12 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | TFTの材料・デバイス技術・応用および一般 |
| テーマ（英） | TFT Materials, Devices, and Applications and Others related to SDM and OME activity |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 原子状水素アニール処理によるペンタセンTFTの絶縁膜界面特性の向上 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of Interface Property in Pentacene TFT by Atomic Hydrogen Annealing |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 原子状水素アニール / atomic hydrogen annealing |
| キーワード(2)（和/英） | 有機薄膜トランジスタ / organic thin film transistor |
| キーワード(3)（和/英） | ペンタセン / pentacene |
| キーワード(4)（和/英） | 界面特性 / interface property |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 部家 彰 / Akira Heya / ヘヤ アキラ |
| 第1著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. of Hyogo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 真彦 / Masahiko Sato / サトウ マサヒコ |
| 第2著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. of Hyogo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長谷川 裕師 / Hiroshi Hasegawa / ハセガワ ヒロシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. of Hyogo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松尾 直人 / Naoto Matsuo / マツオ ナオト |
| 第4著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ. of Hyogo) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-04-11 16:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-13, OME2008-13 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.1(SDM), no.2(OME) |
| ページ範囲 | pp.61-66 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-04-04 (SDM, OME) |
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