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講演抄録/キーワード
講演名 2008-04-11 10:00
Poly-Si TFT特性から観たSi薄膜
芹川 正阪大SDM2008-3 OME2008-3 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-3 OME2008-3
抄録 (和) 移動度が400 cm2/V.sと非常に高いpoly-SiTFTから10 cm2/V.s までのpoly-Si TFTを、スパッタ法によるa-Si膜に種々の条件でのArレーザを照射して製作した。これらのpoly-Si TFTの特性を4.2 - 300 Kの温度領域で、また磁場を印加し測定し、poly-Si TFTの特性を詳細に解析した。これらの測定・解析から多結晶Si膜の構造を探り、poly-Si TFTの製作法との関連を明らかにした。さらに、ダングリングボンドの少ない結晶粒界を有するpoly-Si膜を得、小さな結晶粒において高性能なpoly-Si TFTが製作できることを明らかにした。 
(英) Poly-Si TFTs were fabricated from sputtered Si film crystallized by irradiation of Ar-laser at various powers. Electrical characteristics of the poly-Si TFTs were measured at temperature down to 4.2K and applying magnetic field of 1 T and analyzed in details. It was found that poly-Si TFTs with mobility as high as 400 cm2/V.s are obtained even for small grain poly-Si film by controlling fabrication process. It results from formation of grain boundary in poly-Si film with very small dangling bond density.
キーワード (和) 薄膜トランジスタ / 多結晶Si膜 / 、ダングリングボンド / 結晶粒界 / トランジスタバンドテール準位 / 強局在準位 / /  
(英) TFT / poly-Si film / grain boundary / dangling bonds / grain size / bandtail states / deep states /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 1, SDM2008-3, pp. 13-16, 2008年4月.
資料番号 SDM2008-3 
発行日 2008-04-04 (SDM, OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2008-3 OME2008-3 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-3 OME2008-3

研究会情報
研究会 SDM OME  
開催期間 2008-04-11 - 2008-04-12 
開催地(和) 沖縄県青年会館 
開催地(英) Okinawa Seinen Kaikan 
テーマ(和) TFTの材料・デバイス技術・応用および一般 
テーマ(英) TFT Materials, Devices, and Applications and Others related to SDM and OME activity 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2008-04-SDM-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) Poly-Si TFT特性から観たSi薄膜 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Looking into poly-Si films from TFT characteristics 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 薄膜トランジスタ / TFT  
キーワード(2)(和/英) 多結晶Si膜 / poly-Si film  
キーワード(3)(和/英) 、ダングリングボンド / grain boundary  
キーワード(4)(和/英) 結晶粒界 / dangling bonds  
キーワード(5)(和/英) トランジスタバンドテール準位 / grain size  
キーワード(6)(和/英) 強局在準位 / bandtail states  
キーワード(7)(和/英) / deep states  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 芹川 正 / Tadashi Serikawa / セリカワ タダシ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-04-11 10:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2008-3, OME2008-3 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.1(SDM), no.2(OME) 
ページ範囲 pp.13-16 
ページ数
発行日 2008-04-04 (SDM, OME) 


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