| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-04-11 10:00 Poly-Si TFT特性から観たSi薄膜 ○芹川 正（阪大）  SDM2008-3 OME2008-3 |
|
| 抄録 | （和） | 移動度が400 cm2/V.sと非常に高いpoly-SiTFTから10 cm2/V.s までのpoly-Si TFTを、スパッタ法によるa-Si膜に種々の条件でのArレーザを照射して製作した。これらのpoly-Si TFTの特性を4.2 - 300 Kの温度領域で、また磁場を印加し測定し、poly-Si TFTの特性を詳細に解析した。これらの測定・解析から多結晶Si膜の構造を探り、poly-Si TFTの製作法との関連を明らかにした。さらに、ダングリングボンドの少ない結晶粒界を有するpoly-Si膜を得、小さな結晶粒において高性能なpoly-Si TFTが製作できることを明らかにした。 |
| （英） | Poly-Si TFTs were fabricated from sputtered Si film crystallized by irradiation of Ar-laser at various powers. Electrical characteristics of the poly-Si TFTs were measured at temperature down to 4.2K and applying magnetic field of 1 T and analyzed in details. It was found that poly-Si TFTs with mobility as high as 400 cm2/V.s are obtained even for small grain poly-Si film by controlling fabrication process. It results from formation of grain boundary in poly-Si film with very small dangling bond density. | |
| キーワード | （和） | 薄膜トランジスタ / 多結晶Si膜 / 、ダングリングボンド / 結晶粒界 / トランジスタバンドテール準位 / 強局在準位 / / |
| （英） | TFT / poly-Si film / grain boundary / dangling bonds / grain size / bandtail states / deep states / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 1, SDM2008-3, pp. 13-16, 2008年4月. | |
| 資料番号 | SDM2008-3 | |
| 発行日 | 2008-04-04 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-3 OME2008-3 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2008-04-11 - 2008-04-12 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | TFTの材料・デバイス技術・応用および一般 |
| テーマ（英） | TFT Materials, Devices, and Applications and Others related to SDM and OME activity |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Poly-Si TFT特性から観たSi薄膜 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Looking into poly-Si films from TFT characteristics |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 薄膜トランジスタ / TFT |
| キーワード(2)（和/英） | 多結晶Si膜 / poly-Si film |
| キーワード(3)（和/英） | 、ダングリングボンド / grain boundary |
| キーワード(4)（和/英） | 結晶粒界 / dangling bonds |
| キーワード(5)（和/英） | トランジスタバンドテール準位 / grain size |
| キーワード(6)（和/英） | 強局在準位 / bandtail states |
| キーワード(7)（和/英） | / deep states |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 芹川 正 / Tadashi Serikawa / セリカワ タダシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-04-11 10:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-3, OME2008-3 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.1(SDM), no.2(OME) |
| ページ範囲 | pp.13-16 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-04-04 (SDM, OME) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]