講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-04-11 10:00
Poly-Si TFT特性から観たSi薄膜 ○芹川 正(阪大) SDM2008-3 OME2008-3 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-3 OME2008-3 |
抄録 |
(和) |
移動度が400 cm2/V.sと非常に高いpoly-SiTFTから10 cm2/V.s までのpoly-Si TFTを、スパッタ法によるa-Si膜に種々の条件でのArレーザを照射して製作した。これらのpoly-Si TFTの特性を4.2 - 300 Kの温度領域で、また磁場を印加し測定し、poly-Si TFTの特性を詳細に解析した。これらの測定・解析から多結晶Si膜の構造を探り、poly-Si TFTの製作法との関連を明らかにした。さらに、ダングリングボンドの少ない結晶粒界を有するpoly-Si膜を得、小さな結晶粒において高性能なpoly-Si TFTが製作できることを明らかにした。 |
(英) |
Poly-Si TFTs were fabricated from sputtered Si film crystallized by irradiation of Ar-laser at various powers. Electrical characteristics of the poly-Si TFTs were measured at temperature down to 4.2K and applying magnetic field of 1 T and analyzed in details. It was found that poly-Si TFTs with mobility as high as 400 cm2/V.s are obtained even for small grain poly-Si film by controlling fabrication process. It results from formation of grain boundary in poly-Si film with very small dangling bond density. |
キーワード |
(和) |
薄膜トランジスタ / 多結晶Si膜 / 、ダングリングボンド / 結晶粒界 / トランジスタバンドテール準位 / 強局在準位 / / |
(英) |
TFT / poly-Si film / grain boundary / dangling bonds / grain size / bandtail states / deep states / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 1, SDM2008-3, pp. 13-16, 2008年4月. |
資料番号 |
SDM2008-3 |
発行日 |
2008-04-04 (SDM, OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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