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講演抄録/キーワード
講演名 2008-04-11 10:35
ガラス基板上の不純物ドープSi薄膜のアニールによる電気的活性化
野口 隆宮平知幸川井健司琉球大)・鈴木俊治佐藤正輝SENSDM2008-4 OME2008-4 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-4 OME2008-4
抄録 (和) 高濃度にホウ素やリンをドープしたSi薄膜に対して、紫外光でパルスであるエキシマレーザアニール(ELA)が施され、その導電率と結晶性の関連が調べられた。結晶性とその内部ストレスが、その結晶化Si膜に対して、分光エリプソ法とラマン散乱法を用いて解析された。シート抵抗値は、結晶性の向上に伴い減少した。ELAを最適化することで、効率的な凝固活性化が実現され、2E15・cm-2のリンのドーズに対して、90 ohm/sq.以下の低いシート抵抗が得られた。このとき、顕著な明確な引っ張り応力であった。ホウ素に対しても低い抵抗値が得られた。イオン注入後のELA活性化は、CMOS TFTやPIN光ダイオードの電極として応用が期待される。 
(英) After UV pulsed excimer laser annealing for highly
boron-, or phosphorus dosed Si film, the relationship
between the conductivity and the correlating
crystallinity in the film was analyzed. The crystallinity
and its internal stress were analyzed by using
S.E. (Spectroscopic Ellipsometry) or by Raman
scattering, respectively, for the poly-crystallized Si
film. As a result, the sheet resistance decreased
with improving the crystallinity. By adopting and
optimizing the excimer laser annealing, efficient
solidified activation after melting occurs, the Si film
of 50 nm thickness shows extremely low sheet resistance
below 90 ohm/sq. for the dose of 2E15
cm-2. Even for p-typed case, extremely low sheet
resistance as low as 50 ohm/sq. was obtained for
a B+ dose of 5e15 cm-2. Clear tensile stress was
observed similar to the case of ELC (Excimer Laser
Crystallization) for un-doped Si film. ELA activation
subsequently after ion implantation is considered
to be effective to the formation of source
and drain or Si gate in CMOS TFTs as well as an
electrode for pin sensor diode for SoP (System on
Panel) application.
キーワード (和) エキシマレーザ / ポリSi / TFT / ラマン散乱 / 分光エリプソメトリ / / /  
(英) ELA / poly-Si / TFT / Raman / S.E. / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 1, SDM2008-4, pp. 17-22, 2008年4月.
資料番号 SDM2008-4 
発行日 2008-04-04 (SDM, OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685  Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード SDM2008-4 OME2008-4 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-4 OME2008-4

研究会情報
研究会 SDM OME  
開催期間 2008-04-11 - 2008-04-12 
開催地(和) 沖縄県青年会館 
開催地(英) Okinawa Seinen Kaikan 
テーマ(和) TFTの材料・デバイス技術・応用および一般 
テーマ(英) TFT Materials, Devices, and Applications and Others related to SDM and OME activity 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2008-04-SDM-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ガラス基板上の不純物ドープSi薄膜のアニールによる電気的活性化 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Electrical activation of heavily doped Si film by crystallization annealing 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) エキシマレーザ / ELA  
キーワード(2)(和/英) ポリSi / poly-Si  
キーワード(3)(和/英) TFT / TFT  
キーワード(4)(和/英) ラマン散乱 / Raman  
キーワード(5)(和/英) 分光エリプソメトリ / S.E.  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 野口 隆 / Takashi Noguchi / ノグチ タカシ
第1著者 所属(和/英) 琉球大学 (略称: 琉球大)
University of the Ryukyus (略称: Univ. Ryukyus)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 宮平 知幸 / Tomoyuki Miyahira / ミヤヒラ トモユキ
第2著者 所属(和/英) 琉球大学 (略称: 琉球大)
University of the Ryukyus (略称: Univ. Ryukyus)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 川井 健司 / Kenji Kawai / カワイ ケンジ
第3著者 所属(和/英) 琉球大学 (略称: 琉球大)
University of the Ryukyus (略称: Univ. Ryukyus)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 鈴木 俊治 / Toshiharu Suzuki / スズキ トシハル
第4著者 所属(和/英) SEN-SHI・アクセリス カンパニー (略称: SEN)
SEN Corporation an SHI and Axcelis Company (略称: SEN)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 佐藤 正輝 / Masateru Sato /
第5著者 所属(和/英) SEN-SHI・アクセリス カンパニー (略称: SEN)
SEN Corporation an SHI and Axcelis Company (略称: SEN)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-04-11 10:35:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 SDM2008-4, OME2008-4 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.1(SDM), no.2(OME) 
ページ範囲 pp.17-22 
ページ数
発行日 2008-04-04 (SDM, OME) 


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