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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-04-11 13:40 低誘電率(Low-k)熱酸化陽極化成Siの作製と誘電特性の評価 ○曽根川富博・上原和浩・前濱剛廣（琉球大）  SDM2008-9 OME2008-9 |
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| 抄録 | （和） | 次世代LSI層間絶縁膜として期待されているLow-ｋ薄膜材料を，陽極化成により多孔質化した陽極化成Si を熱酸化することで作製した．試料は，低抵抗n型Si単結晶を原材料として，陽極化成電流密度の変化で多孔度を変えた陽極化成Siを作製し，それを1000 ℃の酸素ガス中で熱酸化を行うことで作製した．試料の誘電率は，500 - 5MHzの周波数の範囲で変化は見られない．また，電流密度100 mA/cm2で作製した多孔度73 % の陽極化成Siを酸化した試料の誘電率は，ｋ = 3.0 の値が得られた． |
| （英） | Low-k dielectric thin film material have been successfully prepared by thermal oxidization using anodized silicon. Anodized silicon layers were prepared using low resistivity n-type silicon single crystal. The anodized silicon layers which porosity was varied anodized current density were oxygenated in the oxygen gas at 1,000 ℃. There is no significant change of the dielectric constant in the frequency range of 500 - 5 MHz. The dielectric constant for the samples with a value of the porosity as 73% by anodized current density as 100 mA/cm2 is typically k = 3.0. | |
| キーワード | （和） | 陽極化成シリコン / 多孔質SiO2 / Low-k絶縁材料 / 多孔度 / / / / |
| （英） | Anodized Silicon / Oxidized Porous Silicon / Low-k material / porosity / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 1, SDM2008-9, pp. 41-46, 2008年4月. | |
| 資料番号 | SDM2008-9 | |
| 発行日 | 2008-04-04 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-9 OME2008-9 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2008-04-11 - 2008-04-12 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | TFTの材料・デバイス技術・応用および一般 |
| テーマ（英） | TFT Materials, Devices, and Applications and Others related to SDM and OME activity |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低誘電率(Low-k)熱酸化陽極化成Siの作製と誘電特性の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation and Characterization of Thermal Oxidization Anodized Si with a Low-k Dielectric Constant |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 陽極化成シリコン / Anodized Silicon |
| キーワード(2)（和/英） | 多孔質SiO2 / Oxidized Porous Silicon |
| キーワード(3)（和/英） | Low-k絶縁材料 / Low-k material |
| キーワード(4)（和/英） | 多孔度 / porosity |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 曽根川 富博 / Tomihiro Sonegawa / ソネガワ トミヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of the Ryukyus (略称： Univ. of the Ryukyus) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上原 和浩 / Kazuhiro Uehara / ウエハラ カズヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of the Ryukyus (略称： Univ. of the Ryukyus) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前濱 剛廣 / Takehiro Maehama / マエハマ タケヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of the Ryukyus (略称： Univ. of the Ryukyus) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-04-11 13:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-9, OME2008-9 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.1(SDM), no.2(OME) |
| ページ範囲 | pp.41-46 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-04-04 (SDM, OME) |
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