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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-04-12 10:35 Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成 ○吉本千秋・大参宏昌・志村考功・垣内弘章・渡部平司・安武 潔（阪大）  SDM2008-18 OME2008-18 |
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| 抄録 | （和） | 現在、薄膜トランジスタに代表される大面積電子デバイスの高性能化には、大粒径多結晶Si薄膜の形成が必要とされている。我々は、ガラス基板上においてa-Geの固相結晶化と酸素エッチングによって作製した、Ge微結晶をSi結晶成長の核として用いることを提案し、Ge微結晶核によってa-Siの固相結晶化時間が大幅に短縮できることを示した。本研究では、種々の成膜条件によって形成したa-Si膜の結晶化過程を、ラマン散乱分光法により調べた。その結果、結晶化の活性化エネルギーはa-Siの成膜条件によって大きくことなることがわかった。さらに、フーリエ変換赤外分光測定(FTIR)及び昇温脱離法(TDS)による膜中水素濃度の測定結果から、Si-H結合の増加が結晶化の促進に寄与していることが明らかとなった。 |
| （英） | Large-grained poly-Si thin films are needed for the fabrication of high-performance thin film transistors (TFTs). We have proposed a method to form large-grained poly-Si thin films using nanocrystalline Ge nuclei on glass substrates. Ge nuclei are fabricated by a combination of the solid-phase crystallization (SPC) of a-Ge and the oxygen etching for controlling their size and density. Using this method, a remarkable reduction of crystallization time for a-Si films has been achieved. In this study, we have investigated the crystallization process of a-Si films with Ge nuclei using Raman spectroscopy. It was found that the activation energy for crystallization varies depending on the deposition method of a-Si films. Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and thermal desorption spectroscopy (TDS) measurements revealed that the crystallization is accelerated when a-Si layer contains a large number of Si-H bonds. | |
| キーワード | （和） | 多結晶Si / Ge微結晶 / 固相結晶化 / 大粒径 / / / / |
| （英） | poly-Si / nanocrystalline Ge / solid phase crystallization / large grain / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 1, SDM2008-18, pp. 89-94, 2008年4月. | |
| 資料番号 | SDM2008-18 | |
| 発行日 | 2008-04-04 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-18 OME2008-18 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2008-04-11 - 2008-04-12 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | TFTの材料・デバイス技術・応用および一般 |
| テーマ（英） | TFT Materials, Devices, and Applications and Others related to SDM and OME activity |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Ge微結晶核を用いた多結晶Si薄膜形成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of Polycrystalline Si Thin Films Using Nanocrystalline Ge Nuclei |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 多結晶Si / poly-Si |
| キーワード(2)（和/英） | Ge微結晶 / nanocrystalline Ge |
| キーワード(3)（和/英） | 固相結晶化 / solid phase crystallization |
| キーワード(4)（和/英） | 大粒径 / large grain |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉本 千秋 / Chiaki Yoshimoto / ヨシモト チアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大参 宏昌 / Hiromasa Ohmi / オオミ ヒロマサ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 志村 考功 / Takayoshi Shimura / シムラ タカヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 垣内 弘章 / Hiroaki Kakiuchi / カキウチ ヒロアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡部 平司 / Heiji Watanabe / ワタナベ ヘイジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安武 潔 / Kiyoshi Yasutake / ヤスタケ キヨシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-04-12 10:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-18, OME2008-18 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.1(SDM), no.2(OME) |
| ページ範囲 | pp.89-94 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-04-04 (SDM, OME) |
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