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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-04-12 10:00 次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長 ○中尾勇兼・都甲 薫（九大）・野口 隆（琉球大）・佐道泰造（九大）  SDM2008-17 OME2008-17 |
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| 抄録 | （和） | 石英上における非晶質Ge薄膜の低温固相成長(≦500℃)を検討した。ラマン散乱分光測定より、多結晶Ge薄膜には伸張歪み(約1%)が導入されている事が示唆された。この歪みは、結晶化に伴う体積収縮とGe/基板の熱膨張係数の差に起因すると考えられる。電気特性評価の結果、多結晶Ge薄膜はｐ型伝導を示した。正孔密度及び移動度の熱処理時間依存性を検討した結果、正孔密度は熱処理時間の増加と共に減少し、熱処理(425 oC-500 min, 500 oC-40 min)後には1x1018 cm-3となった。一方、低温成長(425 oC)の試料の移動度(130 cm2/Vs)は、大粒径化(~200 nm)に起因し、高温成長(500℃)の試料より高かった。正孔密度の低減と移動度の向上を目指し、大粒径成長の為の低温成長(425℃)と欠陥低減の為の高温成長(500℃)で構成される二段階SPC(Solid Phase Crystallization)法を検討した。その結果、高移動度(130 cm2/Vs)を維持しつつ正孔密度の低減(6x1017 cm-3)が実現できた。しかし、キャリヤ移動度の抜本的向上(≧1000cm2/Vs)には、正孔密度を更に低減(≦1016cm-3)する必要がある。 |
| （英） | Concentrations and mobilities of intrinsic holes in poly-Ge films grown on quartz substrates were investigated. The Hall measurements of poly-Ge films grown by solid-phase crystallization (SPC) at 425-500 oC without intentional doping revealed that the intrinsic hole concentration decreased with increasing annealing time and became 1x1018 cm-3 after annealing(425 oC-500 min, 500 oC-40 min). For samples grown at 500 oC for >180 min, surface roughening was observed. The hall mobility of sample grown at a low-temperature (425 oC-500 min) was 130 cm2/Vs, which was much higher than that (90 cm2/Vs) of the sample grown at a high-temperature (500 oC-40min). This improvement was due to the larger grain size (~200 nm) for the lower temperature SPC. Moreover, the two-step annealing method, consisting of low-temperature annealing (425 oC-500 min) to obtain large grains and subsequent high-temperature (500 oC-40 min) to decrease defects, was proposed. It was demonstrated that the hole concentration could be decreased to 6x1017 cm-3 with keeping a high-mobility (130 cm2/Vs). In addition, a possibility that an expansive strain (~1 %) was induced in the Ge crystal grains by SPC was suggested. | |
| キーワード | （和） | 固相成長 / 歪導入 / ゲルマニウム / 薄膜トランジスタ / / / / |
| （英） | solid-phase crystallization / strain-introduction / Ge / thin-film transistor / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 1, SDM2008-17, pp. 83-88, 2008年4月. | |
| 資料番号 | SDM2008-17 | |
| 発行日 | 2008-04-04 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-17 OME2008-17 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2008-04-11 - 2008-04-12 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa Seinen Kaikan |
| テーマ（和） | TFTの材料・デバイス技術・応用および一般 |
| テーマ（英） | TFT Materials, Devices, and Applications and Others related to SDM and OME activity |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 次世代TFTに向けたa-Ge/石英の低温固相成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low-temperature Solid-Phase Crystallization of a-Ge on Glass Substrate for Advanced Thin-Film transistor |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 固相成長 / solid-phase crystallization |
| キーワード(2)（和/英） | 歪導入 / strain-introduction |
| キーワード(3)（和/英） | ゲルマニウム / Ge |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin-film transistor |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中尾 勇兼 / Isakane Nakao / ナカオ イサカネ |
| 第1著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 都甲 薫 / Kaoru Toko / トコウ カオル |
| 第2著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野口 隆 / Takashi Noguchi / ノグチ タカシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 琉球大学 (略称： 琉球大) University of Ryukyus (略称： Univ. Ryukyus) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐道 泰造 / Taizoh Sadoh / サドウ タイゾウ |
| 第4著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-04-12 10:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-17, OME2008-17 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.1(SDM), no.2(OME) |
| ページ範囲 | pp.83-88 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-04-04 (SDM, OME) |
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