| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-04-17 10:15 ［招待講演］NMOSおよびPMOSの基板バイアスを個別制御した65nm SRAM ○山岡雅直（日立）・前田徳章・島崎靖久（ルネサステクノロジ）・長田健一（日立）  ICD2008-2 |
|
| 抄録 | （和） | NMOSとPMOSの基板バイアスを個別制御するSRAMモジュールを提案した。このSRAMモジュールでは、メモリセルのリーク電流制御回路を用いて、SRAMメモリセル中のリーク電流をNMOSとPMOSに分解し、それぞれのVth 測定を可能とした。提案したSRAMモジュールを65nm LPプロセスで0.51μm2 のSRAMセルを用いて試作し、3σ のシステマティックばらつきを考慮しても1.0V で動作することを確認した。 |
| （英） | A 1Mb SRAM is fabricated in 65nm LP process with 0.51μm2 cell. An NMOS and PMOS separately applied body bias technique and NMOS and PMOS individual Vth measurement method using leakage control are implemented to the prototype chip, which achieves 1.0-V operation under 3-σ systematic Vth variation. | |
| キーワード | （和） | 低電力SRAM / 基板バイアス / Vth測定 / / / / / |
| （英） | low-power SRAM / body bias / Vth measurement / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 6, ICD2008-2, pp. 7-12, 2008年4月. | |
| 資料番号 | ICD2008-2 | |
| 発行日 | 2008-04-10 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2008-2 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2008-04-17 - 2008-04-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | メモリ技術（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリー） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2008-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | NMOSおよびPMOSの基板バイアスを個別制御した65nm SRAM |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 65nm Low-Power High-Density SRAM Operable at 1.0V under 3sigma Systematic Variation Using Separate Vth Monitoring and Body Bias for NMOS and PMOS |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 低電力SRAM / low-power SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 基板バイアス / body bias |
| キーワード(3)（和/英） | Vth測定 / Vth measurement |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山岡 雅直 / Masanao Yamaoka / ヤマオカ マサナオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi, Ltd.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 前田 徳章 / Noriaki Maeda / マエダ ノリアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | ルネサス テクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 島崎 靖久 / Yasuhisa Shimazaki / シマザキ ヤスヒサ |
| 第3著者 所属（和/英） | ルネサス テクノロジ (略称： ルネサステクノロジ) Renesas Technology Corp. (略称： Renesas) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長田 健一 / Kenichi Osada / オサダ ケンイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi, Ltd.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-04-17 10:15:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2008-2 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.6 |
| ページ範囲 | pp.7-12 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-04-10 (ICD) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]