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講演抄録/キーワード
講演名 2008-04-18 15:20
[招待講演]二元系酸化物RRAM特性の電極材料依存性
玉井幸夫シャープ)・島 久秋永広幸産総研)・細井康成大西茂夫粟屋信義シャープICD2008-15 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2008-15
抄録 (和) Ta/CoO/Pt構造のRRAMにて、20ns高速スイッチング、100$\mu$A程度の低リセット電流および良好な書換え特性を実現した.金属酸化物から酸素を奪いやすく、その酸化物の抵抗率が高くなるような電極材料を用い、かつフォーミング時の電流を制限することによりリセット電流の低減が可能となる. 
(英) We have synthesized Ta/Co-O/Pt RRRAM and 20ns high-speed switching and low writing current around 100$\mu$A with excellent endurance reliability was demonstrated. The electrode materials which are easily oxidized at the electrode/oxide interface and the interface oxides have a high resistivity lower the erasing current significantly by current regulation during forming.
キーワード (和) RRAM / 不揮発性メモリ / 高速 / 低電流書き込み / 二元系酸化物 / / /  
(英) RRAM / Nonvolatile Memory / High Speed / Low Writing Current / Binary Oxide / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 6, ICD2008-15, pp. 79-82, 2008年4月.
資料番号 ICD2008-15 
発行日 2008-04-10 (ICD) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ICD2008-15 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2008-15

研究会情報
研究会 ICD  
開催期間 2008-04-17 - 2008-04-18 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英)  
テーマ(和) メモリ技術(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリー) 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ICD 
会議コード 2008-04-ICD 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 二元系酸化物RRAM特性の電極材料依存性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Electrode Material Dependence on Binary Oxide RRAM Characteristics 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) RRAM / RRAM  
キーワード(2)(和/英) 不揮発性メモリ / Nonvolatile Memory  
キーワード(3)(和/英) 高速 / High Speed  
キーワード(4)(和/英) 低電流書き込み / Low Writing Current  
キーワード(5)(和/英) 二元系酸化物 / Binary Oxide  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 玉井 幸夫 / Yukio Tamai / タマイ ユキオ
第1著者 所属(和/英) シャープ株式会社 (略称: シャープ)
Sharp Corporation (略称: Sharp)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 島 久 / Hisashi Shima / シマ ヒサシ
第2著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 秋永 広幸 / Hiroyuki Akinaga / アキナガ ヒロユキ
第3著者 所属(和/英) 産業技術総合研究所 (略称: 産総研)
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称: AIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 細井 康成 / Yasunari Hosoi / ホソイ ヤスナリ
第4著者 所属(和/英) シャープ株式会社 (略称: シャープ)
Sharp Corporation (略称: Sharp)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 大西 茂夫 / Shigeo Ohnishi / オオニシ シゲオ
第5著者 所属(和/英) シャープ株式会社 (略称: シャープ)
Sharp Corporation (略称: Sharp)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 粟屋 信義 / Nobuyoshi Awaya / アワヤ ノブヨシ
第6著者 所属(和/英) シャープ株式会社 (略称: シャープ)
Sharp Corporation (略称: Sharp)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-04-18 15:20:00 
発表時間 50分 
申込先研究会 ICD 
資料番号 ICD2008-15 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.6 
ページ範囲 pp.79-82 
ページ数
発行日 2008-04-10 (ICD) 


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