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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-04-18 15:20 ［招待講演］二元系酸化物RRAM特性の電極材料依存性 ○玉井幸夫（シャープ）・島 久・秋永広幸（産総研）・細井康成・大西茂夫・粟屋信義（シャープ）  ICD2008-15 |
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| 抄録 | （和） | Ta/CoO/Pt構造のRRAMにて、20ns高速スイッチング、100$\mu$A程度の低リセット電流および良好な書換え特性を実現した．金属酸化物から酸素を奪いやすく、その酸化物の抵抗率が高くなるような電極材料を用い、かつフォーミング時の電流を制限することによりリセット電流の低減が可能となる． |
| （英） | We have synthesized Ta/Co-O/Pt RRRAM and 20ns high-speed switching and low writing current around 100$\mu$A with excellent endurance reliability was demonstrated. The electrode materials which are easily oxidized at the electrode/oxide interface and the interface oxides have a high resistivity lower the erasing current significantly by current regulation during forming. | |
| キーワード | （和） | RRAM / 不揮発性メモリ / 高速 / 低電流書き込み / 二元系酸化物 / / / |
| （英） | RRAM / Nonvolatile Memory / High Speed / Low Writing Current / Binary Oxide / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 6, ICD2008-15, pp. 79-82, 2008年4月. | |
| 資料番号 | ICD2008-15 | |
| 発行日 | 2008-04-10 (ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ICD2008-15 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD |
| 開催期間 | 2008-04-17 - 2008-04-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | メモリ技術（DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリー） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2008-04-ICD |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 二元系酸化物RRAM特性の電極材料依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrode Material Dependence on Binary Oxide RRAM Characteristics |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | RRAM / RRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 不揮発性メモリ / Nonvolatile Memory |
| キーワード(3)（和/英） | 高速 / High Speed |
| キーワード(4)（和/英） | 低電流書き込み / Low Writing Current |
| キーワード(5)（和/英） | 二元系酸化物 / Binary Oxide |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 玉井 幸夫 / Yukio Tamai / タマイ ユキオ |
| 第1著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 (略称： シャープ) Sharp Corporation (略称： Sharp) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 島 久 / Hisashi Shima / シマ ヒサシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 秋永 広幸 / Hiroyuki Akinaga / アキナガ ヒロユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 細井 康成 / Yasunari Hosoi / ホソイ ヤスナリ |
| 第4著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 (略称： シャープ) Sharp Corporation (略称： Sharp) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大西 茂夫 / Shigeo Ohnishi / オオニシ シゲオ |
| 第5著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 (略称： シャープ) Sharp Corporation (略称： Sharp) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 粟屋 信義 / Nobuyoshi Awaya / アワヤ ノブヨシ |
| 第6著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 (略称： シャープ) Sharp Corporation (略称： Sharp) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-04-18 15:20:00 |
| 発表時間 | 50分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | ICD2008-15 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.6 |
| ページ範囲 | pp.79-82 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-04-10 (ICD) |
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