| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-04-22 14:50 GaN HEMT広帯域高効率増幅器 ○山中宏治・大塚浩志・津山祥紀・茶木 伸・井上 晃（三菱電機）  SCE2008-10 MW2008-10 |
|
| 抄録 | （和） | GaN HEMTを用いた広帯域高効率増幅器について報告する．表面パッシベーション膜の形成にCat-CVD法を用いることでカレントコラプスの問題を解消した．また高調波ロードプル測定により入出力ともに電力付加効率(PAE)最大となる負荷インピーダンスにて入出力特性を測定した．その結果，C帯にて40V動作で62%の最大素子PAEが得られた．このGaN HEMTを用いて３種類の回路構成でC帯広帯域高効率増幅器を試作した．その結果，いずれの回路構成でも出力40W～100W，PAE50%以上の高効率・高出力が比帯域5%以上の広帯域において得られた． |
| （英） | In this paper, circuit technologies for GaN HEMT broadband high efficiency amplifiers are presented. Cat-CVD technique eliminated so-called current-slump phenomenon and highest power added efficiency of 62 % was obtained for a 1 cell transistor at C-band with operating drain voltage of 40V by using harmonic load pull / source pull measurements. 3 kinds of circuit topologies were experimentally investigated for broadband high efficiency operation. Each of them successfully achieved more than 50% PAE with 40~100W output power at C-band over more than 5% relative band width. | |
| キーワード | （和） | GaN HEMT / 高電圧 / MODFET高出力増幅器 / / / / / |
| （英） | GaN HEMT / High-voltage techniques / MODFET power amplifiers / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 13, MW2008-10, pp. 53-58, 2008年4月. | |
| 資料番号 | MW2008-10 | |
| 発行日 | 2008-04-15 (SCE, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SCE2008-10 MW2008-10 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SCE MW |
| 開催期間 | 2008-04-22 - 2008-04-22 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | マイクロ波、超伝導 |
| テーマ（英） | Microwave, Superconductivity |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2008-04-SCE-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN HEMT広帯域高効率増幅器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaN HEMT broadband high efficiency amplifier |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 高電圧 / High-voltage techniques |
| キーワード(3)（和/英） | MODFET高出力増幅器 / MODFET power amplifiers |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山中 宏治 / Koji Yamanaka / ヤマナカ コウジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大塚 浩志 / Hiroshi Otsuka / オオツカ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 津山 祥紀 / Yoshinori Tsuyama / ツヤマ ヨシノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 茶木 伸 / Shin Chaki / チャキ シン |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 晃 / Akira Inoue / イノウエ アキラ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric Corp.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-04-22 14:50:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | SCE2008-10, MW2008-10 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.12(SCE), no.13(MW) |
| ページ範囲 | pp.53-58 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-04-15 (SCE, MW) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]