| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-05-15 13:25 RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成 ○中村功一・細川貴之・酒井 里・細江俊介・以西雅章（静岡大）  ED2008-2 CPM2008-10 SDM2008-22 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-2 CPM2008-10 SDM2008-22 |
|
| 抄録 | （和） | Li二次電池の正極物質として、Mn酸化物が注目されている。この物質は材料費が安く、環境への影響も少ないという利点を持つ。本研究はスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成を目指した。LiMn2O4粉末をターゲット物質に使用し反応性スパッタリングを行った。反応性スパッタリングは，スパッタガスであるArにO2ガスを混合し，酸素欠損を補い，科学量論的組成を持つ薄膜を作成する目的で使用した。 |
| （英） | Manganese oxides have been focused as a cathode material for Li secondary batteries. Preparation of LiMn2O4 thin films were tried by using a reactive sputtering method. The reactive sputtering method was used to compensate the oxygen deficiency of LiMn2O4 films during sputtering process. It was intended to prepare the LiMn2O4 films with stoichiometry. | |
| キーワード | （和） | Li二次電池 / LiMn2o4薄膜 / RFマグネトロンスパッタリング / / / / / |
| （英） | Li secondary batteries / LiMn2O4 thin film / RF magnetron sputtering / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 35, CPM2008-10, pp. 7-10, 2008年5月. | |
| 資料番号 | CPM2008-10 | |
| 発行日 | 2008-05-08 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-2 CPM2008-10 SDM2008-22 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-2 CPM2008-10 SDM2008-22 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2008-05-15 - 2008-05-16 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials） |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2008-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | RFマグネトロンスパッタリング法によるLiMn2O4薄膜の生成 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of LiMn2O4 films by RF magnetron sputtering |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Li二次電池 / Li secondary batteries |
| キーワード(2)（和/英） | LiMn2o4薄膜 / LiMn2O4 thin film |
| キーワード(3)（和/英） | RFマグネトロンスパッタリング / RF magnetron sputtering |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 功一 / Kouichi Nakamura / ナカムラ コウイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 細川 貴之 / Takayuki Hosokawa / ホソカワ タカユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 里 / Satoshi Sakai / サカイ サトシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 細江 俊介 / Shunsuke Hosoe / ホソエ シュンスケ |
| 第4著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 以西 雅章 / Masaaki Isai / イサイ マサアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第7著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-05-15 13:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2008-2, CPM2008-10, SDM2008-22 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.34(ED), no.35(CPM), no.36(SDM) |
| ページ範囲 | pp.7-10 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-05-08 (ED, CPM, SDM) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]