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講演抄録/キーワード
講演名 2008-05-16 10:25
溝加工したAlN上AlGaNの転位解析
森 俊晶浅井俊晶永松謙太郎岩谷素顕上山 智天野 浩赤さき 勇名城大ED2008-12 CPM2008-20 SDM2008-32
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
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文献情報 信学技報, vol. 108, no. 35, CPM2008-20, pp. 57-60, 2008年5月.
資料番号 CPM2008-20 
発行日 2008-05-08 (ED, CPM, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
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研究会情報
研究会 CPM ED SDM  
開催期間 2008-05-15 - 2008-05-16 
開催地(和) 名古屋工業大学 
開催地(英) Nagoya Institute of Technology 
テーマ(和) 結晶成長、評価及びデバイス(化合物、Si、SiGe、電子・光材料) 
テーマ(英) Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials) 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2008-05-CPM-ED-SDM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 溝加工したAlN上AlGaNの転位解析 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Dislocation in AlGaN grown on grooved AlN 
サブタイトル(英)  
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 森 俊晶 / Toshiaki Mori / モリ トシアキ
第1著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 浅井 俊晶 / Toshiaki Asai / アサイ トシアキ
第2著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 永松 謙太郎 / Kentaro Nagamatsu / ナガマツ ケンタロウ
第3著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ
第4著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ
第5著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ
第6著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤さき 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム
第7著者 所属(和/英) 名城大学 (略称: 名城大)
Meijo University (略称: Meijo Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-05-16 10:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 ED2008-12, CPM2008-20, SDM2008-32 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.34(ED), no.35(CPM), no.36(SDM) 
ページ範囲 pp.57-60 
ページ数
発行日 2008-05-08 (ED, CPM, SDM) 


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