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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-05-16 14:05 MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(II) ○市橋 果・山田 航・甲斐康寛・渡邊彰伸・中西智哉・岡 寛樹・仲島 甫・安形保則・ニラウラ マダン・安田和人（名工大）  ED2008-18 CPM2008-26 SDM2008-38 |
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| 抄録 | （和） | エチルヨウ素をn型不純物としてMOVPE法によるp型CdTe層の高抵抗化について検討を行った。成長温度510℃と610℃では、ヨウ素ドープCdTe層の抵抗率はVI/II比3.0の場合でEI供給量1×10-6 mol/min以上で急激に増加することが分かった。また、抵抗率はVI/II比3.0から1.0に減少した場合には、より少量のEI供給量で高抵抗化することが分かった。以上の結果から、CdTe層の高抵抗化の機構について検討を行った。 |
| （英） | Growth characteristics of high resistive CdTe layers by metal-organic vapor phase epitaxy have been studied. Layers were grown using dimethylcadmium (DMCd) and diethyltelluride (DETe) at growth temperature of 510℃ and 610℃, where ethyliodine (EI) was a dopant. At the supply rate ratio of DETe to DMCd (VI/II ratio) of 3.0, the resistivity of layers increased abruptly at the supply rate of EI above 1.0x10-6 mol/min. When the VI/II ratio was decreased to 1.0, the increase of the resistivity shifted to occur at lower supply rate of EI. The mechanisms of the high resistivity were also discussed. | |
| キーワード | （和） | MOVPE / 高抵抗CdTe / ヨウ素ドーピング / Si基板上のCdTe / / / / |
| （英） | MOVPE / high resistive CdTe / Iodine doping / CdTe on Si substrate / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 35, CPM2008-26, pp. 85-88, 2008年5月. | |
| 資料番号 | CPM2008-26 | |
| 発行日 | 2008-05-08 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-18 CPM2008-26 SDM2008-38 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM ED SDM |
| 開催期間 | 2008-05-15 - 2008-05-16 |
| 開催地（和） | 名古屋工業大学 |
| 開催地（英） | Nagoya Institute of Technology |
| テーマ（和） | 結晶成長、評価及びデバイス（化合物、Si、SiGe、電子・光材料） |
| テーマ（英） | Crystal growth, evaluation and device (Compound, Si, SiGe, Electronic and light emitting materials） |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2008-05-CPM-ED-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOVPE法によるSi基板上のCdTe層へのヨウ素ドーピング特性(II) |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Iodine doping of CdTe Layers Grown on Si Substrates by MOVPE(II) |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | 高抵抗CdTe / high resistive CdTe |
| キーワード(3)（和/英） | ヨウ素ドーピング / Iodine doping |
| キーワード(4)（和/英） | Si基板上のCdTe / CdTe on Si substrate |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 市橋 果 / Hatasu Ichihashi / イチハシ ハタス |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 航 / Wataru Yamada / ヤマダ ワタル |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 甲斐 康寛 / Yasuhiro Kai / カイ ヤスヒロ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邊 彰伸 / Akinobu Watanabe / ワタナベ アキノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中西 智哉 / Tomoya Nakanishi / ナカニシ トモヤ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡 寛樹 / Hiroki Oka / オカ ヒロキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 仲島 甫 / Hajime Nakashima / ナカシマ ハジメ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安形 保則 / Yasunori Agata / アガタ ヤスノリ |
| 第8著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | ニラウラ マダン / Madan Niraula / ニラウラ マダン |
| 第9著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安田 和人 / Kazuhito Yasuda / ヤスダ カズヒト |
| 第10著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学 (略称： 名工大) Nagoya Institute of Technology (略称： Nagoya Inst. Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-05-16 14:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | ED2008-18, CPM2008-26, SDM2008-38 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.34(ED), no.35(CPM), no.36(SDM) |
| ページ範囲 | pp.85-88 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-05-08 (ED, CPM, SDM) |
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