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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-06-09 15:50 Si反転層中のホールサブバンド分散 ○武田さくら・森田 誠・大杉拓也・谷川洋平・大門 寛（奈良先端大）  SDM2008-44 |
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| 抄録 | （和） | CMOSchannel 中の電子やホールの有効質量の軽量化は情報処理速度向上のための有力な手段である。電 子やホールの有効質量はバンド分散構造を測定することで直接求めることが出来る。そこで我々は極微細CMOS 中の p-channel と同等のシリコン反転層をSi(111) 面に作製し、反転層中に量子化によって形成されるサブバンドの分散構 造を角度分解光電子分光法を用いて測定している。本講演では測定の詳細と主な測定結果について報告する。サブバ ンドの分散構造や方位依存性性は基本的にバルクSi のバンドと一致すること、つまり有効質量の性質は量子化されて も変化しないことがわかった。また、表面ポテンシャルを変えるとサブバンドエネルギー位置は変わるが分散構造は 基本的に変化しないことがわかった。 |
| （英） | Subband dispersion quantized in Si inversion layer was measured by Angle-resolved photoemission spectroscopy. The dispersion structure and its in-plane anisotropy was found to be basically same as the bulk Si. This means that the effective mass is not changed by the quantization. |
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| キーワード | （和） | シリコン / 反転層 / サブバンド分散 / 有効質量 / / / / |
| （英） | Silicon / Inversion layer / subband dispersion, / effective mass / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 80, SDM2008-44, pp. 13-16, 2008年6月. | |
| 資料番号 | SDM2008-44 | |
| 発行日 | 2008-06-02 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-44 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-06-09 - 2008-06-10 |
| 開催地（和） | 東京大学(生産研 An棟) |
| 開催地（英） | An401・402, Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、第101回研究集会「ゲートスタック構造の新展開：高移動度チャネル技術を中心に）」との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si反転層中のホールサブバンド分散 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | HoleSubband Dispersion in Si inversion Layers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン / Silicon |
| キーワード(2)（和/英） | 反転層 / Inversion layer |
| キーワード(3)（和/英） | サブバンド分散 / subband dispersion, |
| キーワード(4)（和/英） | 有効質量 / effective mass |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 武田 さくら / Sakura N. Takeda / タケダ サクラ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森田 誠 / Makoto Morita / モリタ マコト |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大杉 拓也 / Ｔａkuya Ohsugi / オオスギ タクヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷川 洋平 / Yohei Tanigawa / タニガワ ヨウヘイ |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大門 寛 / Hiroshi Daimon / ダイモン ヒロシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-06-09 15:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-44 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.80 |
| ページ範囲 | pp.13-16 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-06-02 (SDM) |
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