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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-06-09 16:50 シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性 ○齋藤真澄・小林茂樹・内田 建（東芝）  SDM2008-46 |
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| 抄録 | （和） | 本論文ではシリコン(110)面pMOSFETの基本輸送特性について系統的に調べる。(110)面pFETでは基板面に垂直な方向の有効質量が大きいため、(100)面pFETに比べて大きな反転層容量が得られる。また、(110)面<110>方向pFETにおいて基板不純物濃度(Nsub)の増加とともに低電界移動度が増加する現象を初めて観測した。高Nsubの(110)面pFETでは、(100)面pFETに比べて一軸応力による低電界移動度の増加率が低いものの、無歪状態での低電界移動度が極めて高いために優れた性能が実現できる。 |
| （英） | Basic transport properties of Si (110) pMOSFETs are systematically investigated. Inversion-layer capacitance of (110) pFETs is larger than that of (100) pFETs owing to larger out-of-plane effective mass in (110) pFETs. It is first observed that low-field mobility increases with the increase in substrate impurity concentration (Nsub) in (110)/<110> pFETs. Although mobility enhancement ratio by uniaxial stress is lower in high-Nsub (110) pFETs than in (100) pFETs, excellent performance is obtained in strained (110)/<110> pFETs as a result of much higher mobility without strain. | |
| キーワード | （和） | (110)面 / 反転層容量 / 有効質量 / 低電界移動度 / 基板不純物濃度 / 一軸応力 / / |
| （英） | (110) plane / inversion-layer capacitance / effective mass / low-field mobility / substrate impurity concentration / uniaxial stress / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 80, SDM2008-46, pp. 23-27, 2008年6月. | |
| 資料番号 | SDM2008-46 | |
| 発行日 | 2008-06-02 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-46 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-06-09 - 2008-06-10 |
| 開催地（和） | 東京大学(生産研 An棟) |
| 開催地（英） | An401・402, Inst. Indus. Sci., The Univ. of Tokyo |
| テーマ（和） | ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術 (応用物理学会、シリコンテクノロジ分科会、第101回研究集会「ゲートスタック構造の新展開：高移動度チャネル技術を中心に）」との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Sci. & Technol. for Thin Dielectrics for MIS Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | シリコン(110)面pMOSFETにおける反転層容量と低電界移動度特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Inversion-Layer Capacitance and Low-Field Mobility Characteristics in Si(110) pMOSFETs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | (110)面 / (110) plane |
| キーワード(2)（和/英） | 反転層容量 / inversion-layer capacitance |
| キーワード(3)（和/英） | 有効質量 / effective mass |
| キーワード(4)（和/英） | 低電界移動度 / low-field mobility |
| キーワード(5)（和/英） | 基板不純物濃度 / substrate impurity concentration |
| キーワード(6)（和/英） | 一軸応力 / uniaxial stress |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋藤 真澄 / Masumi Saitoh / サイトウ マスミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小林 茂樹 / Shigeki Kobayashi / コバヤシ シゲキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内田 建 / Ken Uchida / ウチダ ケン |
| 第3著者 所属（和/英） | 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-06-09 16:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-46 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.80 |
| ページ範囲 | pp.23-27 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-06-02 (SDM) |
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