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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-06-13 14:40 MOCVD成長によるInP/InGaAs HBTの信頼性 ○荻須啓太・福島慶広・塩島謙次（福井大）・荒木賀行・横浜秀雄（NTT-AT）  ED2008-26 |
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| 抄録 | （和） | 炭素ドープInP/InGaAs HBT のMOCVD成長においてエチル基原料ガスを用いてベース層への水素混入低減を試み、良好なHBT特性を得た。コレクタ電流95%の大電流通電を40時間行った結果、電流増幅率が23%まで指数関数的に低下した。C-E間のバイアス極性を反転して通電した実験を追加し、順方向通電したpn接合の特性劣化が原因であることを確認した。劣化した試料に対し極性を反転して通電を行うことにより電流増幅率の低下が14%まで回復する現象を観測した。この原因として、ベース層であるp-InGaAsに存在する水素の可逆的なマイグレーションが考えられる。 |
| （英） | We examined to reduce hydrogen atom concentration in a p-type InGaAs base layer by using ethyl based precursors （TMI,TMGa,TMAs）in MOCVD-grown carbon-doped InP/InGaAs HBT structure. Good I-V characteristics were confirmed and reliability evaluation was conducted. After a large collector current, which is 98% of maximum collector current, was applied for 40 hours, β reduced 23%. Combining with another reliability test with the opposite bias polarity between emitter and collector electrodes, forward biased p-n junctions were degraded. After the degradation, by applying reverse bias to the junction, the β reduction recovered to 14%. Migration of hydrogen atoms would be responsible for this reversible variation. | |
| キーワード | （和） | 炭素ドープInP/InGaAs HBT / MOCVD法 / エチル基原料ガス / 信頼性試験 / 不活性化 / / / |
| （英） | C-doped InP/InGaAs HBT / MOCVD-growth / Ethyl base precursor / Reliability / passivation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 87, ED2008-26, pp. 23-28, 2008年6月. | |
| 資料番号 | ED2008-26 | |
| 発行日 | 2008-06-06 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-26 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2008-06-13 - 2008-06-14 |
| 開催地（和） | 金沢大学 角間キャンパス |
| 開催地（英） | Kanazawa University |
| テーマ（和） | 半導体のプロセス・デバイス（表面、界面、信頼性、一般） |
| テーマ（英） | Process and device technology od semiconductors (surface, interface, reliability, etc.) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | MOCVD成長によるInP/InGaAs HBTの信頼性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Reliability evaluation of MOCVD-grown InP/InGaAs HBTs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 炭素ドープInP/InGaAs HBT / C-doped InP/InGaAs HBT |
| キーワード(2)（和/英） | MOCVD法 / MOCVD-growth |
| キーワード(3)（和/英） | エチル基原料ガス / Ethyl base precursor |
| キーワード(4)（和/英） | 信頼性試験 / Reliability |
| キーワード(5)（和/英） | 不活性化 / passivation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荻須 啓太 / Keita Ogisu / オギス ケイタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) Fukui University (略称： Fukui Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福島 慶広 / Yoshihiro Fukushima / フクシマ ヨシヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) Fukui University (略称： Fukui Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) Fukui University (略称： Fukui Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒木 賀行 / Gkou Araki / アラキ ガコウ |
| 第4著者 所属（和/英） | NTT アドバンステクノロジ (略称： NTT-AT) NTT Advanced Technology (略称： NTT-AT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 横浜 秀雄 / Hideo Yokohama / ヨコハマ ヒデオ |
| 第5著者 所属（和/英） | NTT アドバンステクノロジ (略称： NTT-AT) NTT Advanced Technology (略称： NTT-AT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-06-13 14:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-26 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.23-28 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-06-06 (ED) |
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