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| 講演名 | 2008-06-14 09:25 化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路パラメタの評価 ○井城悠一（首都大東京）・品田唱秋（都立大）・直井 護（首都大東京）・朝岡直哉（都立大）・須原理彦・奥村次徳（首都大東京）  ED2008-33 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-33 |
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| 抄録 | （和） | 化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオード（TBRTD）の非線形小信号等価回路の同定と回路素子成分のバイアス電圧依存性を実験的に評価した。GaInAs/AlInAs TBRTDのSパラメータを40GHzの範囲で測定し等価回路パラメータ抽出を行った。その結果，量子インダクタンス，量子キャパシタンスの非線形なバイアス電圧依存性がそれぞれ，微分負性コンダクタンスのバイアス依存性と一意の関係があることを実験的に検証した。 |
| （英） | For compound semiconductor triple-barrier resonant tunneling diodes (TBRTDs), nonlinear equivalent circuits and voltage dependence of circuit elements were experimentally evaluated. We measured S-parameters of GaInAs/AlInAs TBRTDs up to 40 GHz and deembedded the circuit parameters. Quantum inductance and quantum capacitance are found to be related to the nonlinear negative differential conductance of the TBRTDs. | |
| キーワード | （和） | InGaAs/AlInAs / 三重障壁共鳴トンネルダイオード / 微分負性抵抗 / 非線形等価回路 / 量子キャパシタンス / 量子インダクタンス / / |
| （英） | InGaAs/AlInAs / Triple-barrier Resonant Tunneling diodes / Differential Conductance / Nonlinear Equivalent Circuit / Quantum Capacitance / Quantum Inductance / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 87, ED2008-33, pp. 61-66, 2008年6月. | |
| 資料番号 | ED2008-33 | |
| 発行日 | 2008-06-06 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-33 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-33 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2008-06-13 - 2008-06-14 |
| 開催地（和） | 金沢大学 角間キャンパス |
| 開催地（英） | Kanazawa University |
| テーマ（和） | 半導体のプロセス・デバイス（表面、界面、信頼性、一般） |
| テーマ（英） | Process and device technology od semiconductors (surface, interface, reliability, etc.) |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-06-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 化合物半導体三重障壁共鳴トンネルダイオードの非線形等価回路パラメタの評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Parameter Estimation of Nonliner Equivalent Circuit in Compound Ssemiconductor Triple-Barrier Resonant Tunneling Diodes |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAs/AlInAs / InGaAs/AlInAs |
| キーワード(2)（和/英） | 三重障壁共鳴トンネルダイオード / Triple-barrier Resonant Tunneling diodes |
| キーワード(3)（和/英） | 微分負性抵抗 / Differential Conductance |
| キーワード(4)（和/英） | 非線形等価回路 / Nonlinear Equivalent Circuit |
| キーワード(5)（和/英） | 量子キャパシタンス / Quantum Capacitance |
| キーワード(6)（和/英） | 量子インダクタンス / Quantum Inductance |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井城 悠一 / Yuichi Iki / イキ ユウイチ |
| 第1著者 所属（和/英） | 首都大学東京 (略称： 首都大東京) Tokyo Metropolitan University (略称： TMU) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 品田 唱秋 / Masaaki Shinada / シナダ マサアキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京都立大学 (略称： 都立大) Tokyo Metropolitan University (略称： TMU) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 直井 護 / Mamoru Naoi / ナオイ マモル |
| 第3著者 所属（和/英） | 首都大学東京 (略称： 首都大東京) Tokyo Metropolitan University (略称： TMU) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 朝岡 直哉 / Naoya Asaoka / アサオカ ナオヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京都立大学 (略称： 都立大) Tokyo Metropolitan University (略称： TMU) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須原 理彦 / Michihiko Suhara / スハラ ミチヒコ |
| 第5著者 所属（和/英） | 首都大学東京 (略称： 首都大東京) Tokyo Metropolitan University (略称： TMU) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奥村 次徳 / Tsugunori Okumura / オクムラ ツグノリ |
| 第6著者 所属（和/英） | 首都大学東京 (略称： 首都大東京) Tokyo Metropolitan University (略称： TMU) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-06-14 09:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-33 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.87 |
| ページ範囲 | pp.61-66 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-06-06 (ED) |
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