講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-06-14 09:50
Fluidic Self-AssemblyのためのInGaAs系共鳴トンネルデバイスブロック作製技術 ○前澤宏一(富山大)・亀谷直樹・岸本 茂・水谷 孝(名大)・赤松和弘(日鉱金属) ED2008-34 |
抄録 |
(和) |
Fluidic Self-Assembly(FSA)は数十ミクロン程度の大きさのデバイスブロックを溶液中で散布し,任意の基板上の必要な位置に配置する技術である.FSAは非常に自由度の高い,ヘテロジニアス・インテグレイション技術であり,これを用いれば,材料によらない集積化が可能になる.これまで,我々はGaAs系のデバイスブロックをAlAs犠牲層を用いてエピタキシャル・リフトオフ法により作製してきた.ここでは,より高速なデバイスが作製可能なInP系デバイスブロックの作製技術について述べた. |
(英) |
Fluidic Self-Assembly (FSA) is an innovative technique for heterogeneous integration. This technique enables us to assemble small device blocks, the size of which is in a range of 10 $\mu$m to 1 mm, on a various substrate. In this paper, we discuss the fabrication process for the device blocks made of InGaAs/InAlAs material system for the FSA, which is suitable for ultrahigh speed applications. We first tried to use InP substrate itself for sacrificial layer to fabricate InAlAs blocks. It was found, however, anomalous etching occurs in the InAlAs blcok layer, and it makes difficult to fabricate blocks. Then we investigated new process using mechanical polishing and etching from the backside of the substrate. With this process good device blocks containing resonant tunneling diodes were fabricated. Some circuits were also demonstrated with these device blocks. |
キーワード |
(和) |
ヘテロジニアス・インテグレイション / 共鳴トンネル / InP / / / / / |
(英) |
heterogeneous integration / resonant tunneling / InP / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 87, ED2008-34, pp. 67-72, 2008年6月. |
資料番号 |
ED2008-34 |
発行日 |
2008-06-06 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2008-34 |
研究会情報 |
研究会 |
ED |
開催期間 |
2008-06-13 - 2008-06-14 |
開催地(和) |
金沢大学 角間キャンパス |
開催地(英) |
Kanazawa University |
テーマ(和) |
半導体のプロセス・デバイス(表面、界面、信頼性、一般) |
テーマ(英) |
Process and device technology od semiconductors (surface, interface, reliability, etc.) |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ED |
会議コード |
2008-06-ED |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
Fluidic Self-AssemblyのためのInGaAs系共鳴トンネルデバイスブロック作製技術 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Fabrication of Resonant Tunneling Devic Blocks for Fluidic Self-Assembly |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
ヘテロジニアス・インテグレイション / heterogeneous integration |
キーワード(2)(和/英) |
共鳴トンネル / resonant tunneling |
キーワード(3)(和/英) |
InP / InP |
キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
前澤 宏一 / Koichi Maezawa / マエザワ コウイチ |
第1著者 所属(和/英) |
富山大学 (略称: 富山大)
University of Toyama (略称: Univ. Toyama) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
亀谷 直樹 / Naoki Kamegai / カメガイ ナオキ |
第2著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
岸本 茂 / Shigeru Kishimoto / キシモト シゲル |
第3著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
水谷 孝 / Takashi Mizutani / ミズタニ タカシ |
第4著者 所属(和/英) |
名古屋大学 (略称: 名大)
Nagoya University (略称: Nagoya Univ.) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
赤松 和弘 / Kazuhiro Akamatsu / アカマツ カズヒロ |
第5著者 所属(和/英) |
日鉱金属株式会社 (略称: 日鉱金属)
Nippon Mining & Metals Co.,Ltd. (略称: Nippon Mining & Metals) |
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2008-06-14 09:50:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
ED |
資料番号 |
ED2008-34 |
巻番号(vol) |
vol.108 |
号番号(no) |
no.87 |
ページ範囲 |
pp.67-72 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2008-06-06 (ED) |
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