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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-06-27 16:20 強誘電体をゲート絶縁膜にもつペンタセンFETを用いたソース・ドレイン電極の影響の評価 ○吉田周平・田村亮祐・林 銀珠・間中孝彰・岩本光正（東工大）  EMD2008-20 CPM2008-39 OME2008-41 |
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| 抄録 | （和） | 強誘電体をゲート絶縁膜とするペンタセンFETを用いて、ソース・ドレイン電極にAuを用い場合とAlを用いた場合の特性の違いを評価した。Auを用いた場合には、ソース・ドレイン電極からペンタセン内へのホールの注入が容易に起こるが、Alを用いた場合では容易に起こらない。そのため、強誘電体の自発分極が反転する電圧に違いが現れる。また、ソース・ドレイン電極にAlを用いた場合では自発分極が反転する電圧が印加電圧のスイープ速度に大きく依存する。これらの結果は、 注入障壁の大きさの違いにより、単位時間にペンタセンFETチャネルに注入される電荷量が異なるためである。 |
| （英） | Using pentacene field effect transistors with ferroelectric gate insulator, we studied the charge accumulation at the FET channel in terms of carrier injection and turn over of spontaneous polarization of the gate insulator. The difference of work-function of metal electrodes (Au,Al) leads to the difference in a voltage that generates the turn over of the spontaneous polarization. In the case of Al electrodes, the voltage of the turn over depends on the sweep speed of the gate voltage. This result suggests that the accumulation of holes from Al electrodes is restricted owing to the high injection barrier height. | |
| キーワード | （和） | 有機トランジスタ / 有機FET / ペンタセン / 注入障壁 / 分極反転 / P(VDF-TeFE) / / |
| （英） | organic field effect transistor / OFET / pentacene / injection barrier / turning over of spontaneous polarization / P(VDF-TeFE) / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 112, OME2008-41, pp. 53-57, 2008年6月. | |
| 資料番号 | OME2008-41 | |
| 発行日 | 2008-06-20 (EMD, CPM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | EMD2008-20 CPM2008-39 OME2008-41 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMD CPM OME |
| 開催期間 | 2008-06-27 - 2008-06-27 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 材料デバイスサマーミーティング |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2008-06-EMD-CPM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 強誘電体をゲート絶縁膜にもつペンタセンFETを用いたソース・ドレイン電極の影響の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis of pentacene FET with ferroelectric gate insulator: effect of Source and Drain electrodes |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機トランジスタ / organic field effect transistor |
| キーワード(2)（和/英） | 有機FET / OFET |
| キーワード(3)（和/英） | ペンタセン / pentacene |
| キーワード(4)（和/英） | 注入障壁 / injection barrier |
| キーワード(5)（和/英） | 分極反転 / turning over of spontaneous polarization |
| キーワード(6)（和/英） | P(VDF-TeFE) / P(VDF-TeFE) |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 周平 / Shuhei Yoshita / ヨシタ シュウヘイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田村 亮祐 / Ryosuke Tamura / タムラ リョウスケ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 銀珠 / Eunju Lim / |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 間中 孝彰 / Takaaki Manaka / マナカ タカアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩本 光正 / Mitsumasa Iwamoto / イワモト ミツマサ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-06-27 16:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | EMD2008-20, CPM2008-39, OME2008-41 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.110(EMD), no.111(CPM), no.112(OME) |
| ページ範囲 | pp.53-57 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2008-06-20 (EMD, CPM, OME) |
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