講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-06-27 16:20
強誘電体をゲート絶縁膜にもつペンタセンFETを用いたソース・ドレイン電極の影響の評価 ○吉田周平・田村亮祐・林 銀珠・間中孝彰・岩本光正(東工大) EMD2008-20 CPM2008-39 OME2008-41 エレソ技報アーカイブへのリンク:EMD2008-20 CPM2008-39 OME2008-41 |
抄録 |
(和) |
強誘電体をゲート絶縁膜とするペンタセンFETを用いて、ソース・ドレイン電極にAuを用い場合とAlを用いた場合の特性の違いを評価した。Auを用いた場合には、ソース・ドレイン電極からペンタセン内へのホールの注入が容易に起こるが、Alを用いた場合では容易に起こらない。そのため、強誘電体の自発分極が反転する電圧に違いが現れる。また、ソース・ドレイン電極にAlを用いた場合では自発分極が反転する電圧が印加電圧のスイープ速度に大きく依存する。これらの結果は、
注入障壁の大きさの違いにより、単位時間にペンタセンFETチャネルに注入される電荷量が異なるためである。 |
(英) |
Using pentacene field effect transistors with ferroelectric gate insulator, we studied the charge accumulation at the FET channel in terms of carrier injection and turn over of spontaneous polarization of the gate insulator. The difference of work-function of metal electrodes (Au,Al) leads to the difference in a voltage that generates the turn over of the spontaneous polarization. In the case of Al electrodes, the voltage of the turn over depends on the sweep speed of the gate voltage. This result suggests that the accumulation of holes from Al electrodes is restricted owing to the high injection barrier height. |
キーワード |
(和) |
有機トランジスタ / 有機FET / ペンタセン / 注入障壁 / 分極反転 / P(VDF-TeFE) / / |
(英) |
organic field effect transistor / OFET / pentacene / injection barrier / turning over of spontaneous polarization / P(VDF-TeFE) / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 112, OME2008-41, pp. 53-57, 2008年6月. |
資料番号 |
OME2008-41 |
発行日 |
2008-06-20 (EMD, CPM, OME) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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