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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-06-27 11:25 高感度2.3μm光検出ヘテロ接合フォトトランジスタ ○深野秀樹・佐藤具就・満原 学・近藤康洋（NTT）  OPE2008-22 LQE2008-23 |
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| 抄録 | （和） | 高受光感度、低暗電流の新しい中赤外光検出器を開発した。 素子はInAs/InGaAs歪多重量子井戸(MQW)吸収層がコレクタ中の低電界領域に挿入されたヘテロ接合光トランジスタ(HPT)より成る。 基本的な層構造は、光通信デバイスにおいて成熟したInGaAsP材料系を用いて作製した。 低電界中の歪InAsは量子閉じ込め効果を高め、2.3μm波長で高い吸収係数をもたらす。 MQW吸収層中で発生した光電流は電流利得倍され、受光感度は10 A/W以上の高い値を示した。さらに、低電界領域中の小体積MQW層は室温で低暗電流を与えることになる。 |
| （英） | We have developed a novel mid-infrared photodetector that provides high responsivity and a low dark current. The device consists of a heterojunction phototransistor (HPT) with a strained InAs/InGaAs multiquantum-well (MQW) absorption layer inserted in the low electric field region of the collector. The basic layer structure was formed using the mature InGaAsP material system, which is employed in optical telecommunications devices. The strained InAs well under a low electric field enhances the quantum-confined effect. This provides a high absorption coefficient at a wavelength of 2.3 μm. The photocurrent generated in the MQW absorption layer is amplified by the current gain, resulting in a high responsivity of more than 10 A/W. In addition, the small volume of the MQW in the low electric field region provides a low dark current even at room temperature. | |
| キーワード | （和） | フォトトランジスタ / 高感度 / 多重量子井戸 / InAs/InGaAs / / / / |
| （英） | Phototransistor / high responsivity / multi-quantum-well / InAs/InGaAs / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 114, LQE2008-23, pp. 21-24, 2008年6月. | |
| 資料番号 | LQE2008-23 | |
| 発行日 | 2008-06-20 (OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OPE2008-22 LQE2008-23 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE LQE |
| 開催期間 | 2008-06-27 - 2008-06-27 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 量子効果デバイス（光信号処理、LD、光増幅、変調等）と集積化技術、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2008-06-OPE-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高感度2.3μm光検出ヘテロ接合フォトトランジスタ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Heterojunction Phototransistor with High Responsivity at 2.3 μm wavelength |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | フォトトランジスタ / Phototransistor |
| キーワード(2)（和/英） | 高感度 / high responsivity |
| キーワード(3)（和/英） | 多重量子井戸 / multi-quantum-well |
| キーワード(4)（和/英） | InAs/InGaAs / InAs/InGaAs |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 深野 秀樹 / Hideki Fukano / フカノ ヒデキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社フォトニクス研究所 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Photonics Laboratories (略称： NTT) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 具就 / Tomonari Sato / サトウ トモナリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社フォトニクス研究所 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Photonics Laboratories (略称： NTT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 満原 学 / Manabu Mitsuhara / ミツハラ マナブ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社フォトニクス研究所 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Photonics Laboratories (略称： NTT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 近藤 康洋 / Yasuhiro Kondo / コンドウ ヤスヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本電信電話株式会社フォトニクス研究所 (略称： NTT) Nippon Telegraph and Telephone Photonics Laboratories (略称： NTT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-06-27 11:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | OPE2008-22, LQE2008-23 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.113(OPE), no.114(LQE) |
| ページ範囲 | pp.21-24 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-06-20 (OPE, LQE) |
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