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| 講演名 | 2008-07-09 14:35 ［招待講演］High-K Dielectric for Charge Trap-type Flash Memory Application ○Byung-Jin Cho（KAIST）・Wei He・Jing Pu（National Univ. of Singapore）  ED2008-46 SDM2008-65 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-46 SDM2008-65 |
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| 抄録 | （和） | In this paper, lanthanide group oxides, AlLaOx, HfLaOx, Gd2O3 and GdAlO3, used as blocking oxide in charge trap - type Flash memory devices have been studied. The ALD process for AlLaOx and HfLaOx with high deposition rate, good uniformity and self-limiting behavior were successfully developed. The charge trap memory with AlLaOx and HfLaOx as blocking layer demonstrates much faster operation speed but comparable (AlLaOx) or worse (HfLaOx) retention, compared to Al2O3 blocking layer control sample. Another group of high-・ materials, Gd2O3-based dielectric, used as the blocking oxide demonstrates enhanced operation speed. Incorporation of Al into Gd2O3 improves the retention further, which is an attractive candidate for blocking layer in charge trap – type Flash memory devices. |
| （英） | In this paper, lanthanide group oxides, AlLaOx, HfLaOx, Gd2O3 and GdAlO3, used as blocking oxide in charge trap - type Flash memory devices have been studied. The ALD process for AlLaOx and HfLaOx with high deposition rate, good uniformity and self-limiting behavior were successfully developed. The charge trap memory with AlLaOx and HfLaOx as blocking layer demonstrates much faster operation speed but comparable (AlLaOx) or worse (HfLaOx) retention, compared to Al2O3 blocking layer control sample. Another group of high-・ materials, Gd2O3-based dielectric, used as the blocking oxide demonstrates enhanced operation speed. Incorporation of Al into Gd2O3 improves the retention further, which is an attractive candidate for blocking layer in charge trap – type Flash memory devices. | |
| キーワード | （和） | Flash memory / ALD / High-K dielectric / charge trap / / / / |
| （英） | Flash memory / ALD / High-K dielectric / charge trap / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 122, SDM2008-65, pp. 37-41, 2008年7月. | |
| 資料番号 | SDM2008-65 | |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-46 SDM2008-65 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-46 SDM2008-65 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2008-07-09 - 2008-07-11 |
| 開催地（和） | かでる２・７（札幌） |
| 開催地（英） | Kaderu２・７ |
| テーマ（和） | 第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) |
| テーマ（英） | 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-07-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-K Dielectric for Charge Trap-type Flash Memory Application |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Flash memory / Flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | ALD / ALD |
| キーワード(3)（和/英） | High-K dielectric / High-K dielectric |
| キーワード(4)（和/英） | charge trap / charge trap |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Byung-Jin Cho / Byung-Jin Cho / |
| 第1著者 所属（和/英） | Korea Advanced Institute of Science and Technology (略称： KAIST) Korea Advanced Institute of Science and Technology (略称： KAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Wei He / Wei He / |
| 第2著者 所属（和/英） | National University of Singapore (略称： National Univ. of Singapore) National University of Singapore (略称： National Univ. of Singapore) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Jing Pu / Jing Pu / |
| 第3著者 所属（和/英） | National University of Singapore (略称： National Univ. of Singapore) National University of Singapore (略称： National Univ. of Singapore) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-07-09 14:35:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2008-46, SDM2008-65 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.121(ED), no.122(SDM) |
| ページ範囲 | pp.37-41 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) |
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