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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-07-10 09:00 リモート水素プラズマ支援によるPdナノドット形成とフローティングゲートMOSメモリ応用 ○島ノ江和広・牧原克典・池田弥央・宮崎誠一（広島大）  ED2008-54 SDM2008-73 |
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| 抄録 | （和） | We have studied the formation of Pd-nanodots on SiO2 from ultrathin Pd films being exposed to remote hydrogen plasma at room temperature, in which parameters such as the gas pressure and input power to generate H2 plasma and the Pd film thickness were selected to get some insights into surface migration of Pd atoms induced with atomic hydrogen irradiation and resultant agglomeration with cohesive action. The areal dot density was controlled in the range from ~3.4 to ~6.5x1011cm-2 while the dot size distribution was changed from ~7 to ~1.5 in average dot height with ~40% variation in full-width at half maximum. We also fabricated MOS capacitors with a Pd-nanodots floating gate and confirmed the flat-band voltage shift in capacitance-voltage characteristic due to electron injection to and emission from the dots floating gate. |
| （英） | We have studied the formation of Pd-nanodots on SiO2 from ultrathin Pd films being exposed to remote hydrogen plasma at room temperature, in which parameters such as the gas pressure and input power to generate H2 plasma and the Pd film thickness were selected to get some insights into surface migration of Pd atoms induced with atomic hydrogen irradiation and resultant agglomeration with cohesive action. The areal dot density was controlled in the range from ~3.4 to ~6.5x1011cm-2 while the dot size distribution was changed from ~7 to ~1.5 in average dot height with ~40% variation in full-width at half maximum. We also fabricated MOS capacitors with a Pd-nanodots floating gate and confirmed the flat-band voltage shift in capacitance-voltage characteristic due to electron injection to and emission from the dots floating gate. |
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| キーワード | （和） | パラジウムナノドット / リモート水素プラズマ / フローティングゲートMOSメモリ / / / / / |
| （英） | Pd Nanodot / Remote Hydrogen Plasma / Floating Gate MOS memory / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 122, SDM2008-73, pp. 77-80, 2008年7月. | |
| 資料番号 | SDM2008-73 | |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-54 SDM2008-73 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2008-07-09 - 2008-07-11 |
| 開催地（和） | かでる２・７（札幌） |
| 開催地（英） | Kaderu２・７ |
| テーマ（和） | 第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) |
| テーマ（英） | 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-07-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | リモート水素プラズマ支援によるPdナノドット形成とフローティングゲートMOSメモリ応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of Pd Nanodots Induced by Remote Hydrogen Plasma and Its Application to Floating Gate MOS Memories |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | パラジウムナノドット / Pd Nanodot |
| キーワード(2)（和/英） | リモート水素プラズマ / Remote Hydrogen Plasma |
| キーワード(3)（和/英） | フローティングゲートMOSメモリ / Floating Gate MOS memory |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 島ノ江 和広 / Kazuhiro Shimanoe / シマノエ カズヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 広島大学大学院 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧原 克典 / Katsunori Makihara / マキハラ カツノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 広島大学大学院 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 弥央 / Mitsuhisa Ikeda / イケダ ミツヒサ |
| 第3著者 所属（和/英） | 広島大学大学院 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / ミヤザキ セイイチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 広島大学大学院 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-07-10 09:00:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2008-54, SDM2008-73 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.121(ED), no.122(SDM) |
| ページ範囲 | pp.77-80 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) |
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