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| 講演名 | 2008-07-10 10:55 Scalability of Vertical MOSFETs in Sub-10nm generation and its Mechanism ○Yuto Norifusa・Tetsuo Endoh（Tohoku Univ.）  ED2008-60 SDM2008-79 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-60 SDM2008-79 |
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| 抄録 | （和） | In this paper, the device performances of sub-10nm Vertical MOSFETs are investigated. One of the drawbacks of conventional planar MOSFETs is that in the sub-10nm generation, its cutoff leakage current increases due to the short channel effects, but even more, its driving current decreases due to the quantum mechanical confinement effects such as the sub-band effect and the depletion of the inversion layer. It is shown for the first time that by downscaling the silicon pillar diameter from 20nm to 4nm, the Vertical MOSFET increases its driving current per footprint to about 2 times and suppresses its total cutoff leakage current per footprint to less than 1/60 at the same time. Moreover, the mechanisms of these improvements of Vertical MOSFET performances are clarified. The results of this work show that Vertical MOSFETs can overcome the drawbacks of conventional planar MOSFETs and achieve the high device performance through the sub-10nm generation. |
| （英） | In this paper, the device performances of sub-10nm Vertical MOSFETs are investigated. One of the drawbacks of conventional planar MOSFETs is that in the sub-10nm generation, its cutoff leakage current increases due to the short channel effects, but even more, its driving current decreases due to the quantum mechanical confinement effects such as the sub-band effect and the depletion of the inversion layer. It is shown for the first time that by downscaling the silicon pillar diameter from 20nm to 4nm, the Vertical MOSFET increases its driving current per footprint to about 2 times and suppresses its total cutoff leakage current per footprint to less than 1/60 at the same time. Moreover, the mechanisms of these improvements of Vertical MOSFET performances are clarified. The results of this work show that Vertical MOSFETs can overcome the drawbacks of conventional planar MOSFETs and achieve the high device performance through the sub-10nm generation. | |
| キーワード | （和） | Vertical MOSFET / sub-10nm / driving current / cutoff leakage current / current density / / / |
| （英） | Vertical MOSFET / sub-10nm / driving current / cutoff leakage current / current density / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 122, SDM2008-79, pp. 107-111, 2008年7月. | |
| 資料番号 | SDM2008-79 | |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-60 SDM2008-79 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-60 SDM2008-79 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2008-07-09 - 2008-07-11 |
| 開催地（和） | かでる２・７（札幌） |
| 開催地（英） | Kaderu２・７ |
| テーマ（和） | 第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) |
| テーマ（英） | 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-07-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Scalability of Vertical MOSFETs in Sub-10nm generation and its Mechanism |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Vertical MOSFET / Vertical MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | sub-10nm / sub-10nm |
| キーワード(3)（和/英） | driving current / driving current |
| キーワード(4)（和/英） | cutoff leakage current / cutoff leakage current |
| キーワード(5)（和/英） | current density / current density |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 則房 勇人 / Yuto Norifusa / ノリフサ ユウト |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 哲郎 / Tetsuo Endoh / エンドウ テツオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-07-10 10:55:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2008-60, SDM2008-79 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.121(ED), no.122(SDM) |
| ページ範囲 | pp.107-111 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) |
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