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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-07-10 09:15 Simulation of Retention Characteristics in Double-Gate Structure Multi-bit SONOS Flash Memories ○Doo-Hyun Kim・Il Han Park・Byung-Gook Park（Seoul National Univ.）  ED2008-55 SDM2008-74 |
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| 抄録 | （和） | This paper presents a detailed study of the retention characteristics in scaled multi-bit SONOS flash memories. By calculating the oxide field and tunneling currents, we evaluate the charge trapping mechanism. We calculate transient retention dynamics with the ONO fields, trapped charge, and tunneling currents. All the parameters were obtained by physics-based equations and without any fitting parameters or optimization steps. The results can be used with nanoscale nonvolatile memory. This modeling accounts for the VT shift as a function of trapped charge, time, and thickness of silicon oxide and silicon nitride layers, and can be used for optimizing the ONO geometry and parameters for maximum performance. |
| （英） | This paper presents a detailed study of the retention characteristics in scaled multi-bit SONOS flash memories. By calculating the oxide field and tunneling currents, we evaluate the charge trapping mechanism. We calculate transient retention dynamics with the ONO fields, trapped charge, and tunneling currents. All the parameters were obtained by physics-based equations and without any fitting parameters or optimization steps. The results can be used with nanoscale nonvolatile memory. This modeling accounts for the VT shift as a function of trapped charge, time, and thickness of silicon oxide and silicon nitride layers, and can be used for optimizing the ONO geometry and parameters for maximum performance. | |
| キーワード | （和） | SONOS / flash memory / retention / double-gate / multi-bit / nitride-based charge trap memory / / |
| （英） | SONOS / flash memory / retention / double-gate / multi-bit / nitride-based charge trap memory / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 122, SDM2008-74, pp. 81-84, 2008年7月. | |
| 資料番号 | SDM2008-74 | |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-55 SDM2008-74 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2008-07-09 - 2008-07-11 |
| 開催地（和） | かでる２・７（札幌） |
| 開催地（英） | Kaderu２・７ |
| テーマ（和） | 第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) |
| テーマ（英） | 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-07-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Simulation of Retention Characteristics in Double-Gate Structure Multi-bit SONOS Flash Memories |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | SONOS / SONOS |
| キーワード(2)（和/英） | flash memory / flash memory |
| キーワード(3)（和/英） | retention / retention |
| キーワード(4)（和/英） | double-gate / double-gate |
| キーワード(5)（和/英） | multi-bit / multi-bit |
| キーワード(6)（和/英） | nitride-based charge trap memory / nitride-based charge trap memory |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Doo-Hyun Kim / Doo-Hyun Kim / |
| 第1著者 所属（和/英） | Seoul National University (略称： Seoul National Univ.) Seoul National University (略称： Seoul National Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Il Han Park / Il Han Park / |
| 第2著者 所属（和/英） | Seoul National University (略称： Seoul National Univ.) Seoul National University (略称： Seoul National Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Byung-Gook Park / Byung-Gook Park / |
| 第3著者 所属（和/英） | Seoul National University (略称： Seoul National Univ.) Seoul National University (略称： Seoul National Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-07-10 09:15:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2008-55, SDM2008-74 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.121(ED), no.122(SDM) |
| ページ範囲 | pp.81-84 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) |
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