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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-07-11 14:05 Heat Dissipation and the Nature of Negative-Differential-Resistance for GaAs Gunn Diodes ○M. R. Kim・S. D. Lee・J. S. Lee・N. S. Kwak・S. D. Kim・J. K. Rhee（Dongguk Univ.）・W. J. Kim（ADD）  ED2008-100 SDM2008-119 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-100 SDM2008-119 |
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| 抄録 | （和） | We examined the heat dissipation and the nature of the negative-differential-resistance for GaAs Gunn diodes in a vertical device structure and a planar structure. In the vertical structure we designed and fabricated the Gunn diodes taking into consideration the effective heat dissipation through integral heat sink and sufficient wafer thinning for the standard Gunn diode packaging. Size of circular anode varies from 42−70 ・ in diameter. In the standard integral heat sink technique, the substrate was thinned to a thickness of 10−13 ・ after forming the heat sink. In the planar structure, the anode was situated inside the cathode for modular packaging of the flip-chip bonding. We compared the results for the negative-differential-resistance in the planar structure with the vertical one and discussed the heat dissipation. |
| （英） | We examined the heat dissipation and the nature of the negative-differential-resistance for GaAs Gunn diodes in a vertical device structure and a planar structure. In the vertical structure we designed and fabricated the Gunn diodes taking into consideration the effective heat dissipation through integral heat sink and sufficient wafer thinning for the standard Gunn diode packaging. Size of circular anode varies from 42−70 ・ in diameter. In the standard integral heat sink technique, the substrate was thinned to a thickness of 10−13 ・ after forming the heat sink. In the planar structure, the anode was situated inside the cathode for modular packaging of the flip-chip bonding. We compared the results for the negative-differential-resistance in the planar structure with the vertical one and discussed the heat dissipation. | |
| キーワード | （和） | GaAs Gunn Diode / Negative-Differential-Resistance / / / / / / |
| （英） | GaAs Gunn Diode / Negative-Differential-Resistance / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 122, SDM2008-119, pp. 317-320, 2008年7月. | |
| 資料番号 | SDM2008-119 | |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-100 SDM2008-119 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-100 SDM2008-119 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2008-07-09 - 2008-07-11 |
| 開催地（和） | かでる２・７（札幌） |
| 開催地（英） | Kaderu２・７ |
| テーマ（和） | 第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) |
| テーマ（英） | 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-07-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Heat Dissipation and the Nature of Negative-Differential-Resistance for GaAs Gunn Diodes |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaAs Gunn Diode / GaAs Gunn Diode |
| キーワード(2)（和/英） | Negative-Differential-Resistance / Negative-Differential-Resistance |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Mi-Ra Kim / M. R. Kim / |
| 第1著者 所属（和/英） | Dongguk University (略称： Dongguk Univ.) Dongguk University (略称： Dongguk Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | * / S. D. Lee / |
| 第2著者 所属（和/英） | Dongguk University (略称： Dongguk Univ.) Dongguk University (略称： Dongguk Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | * / J. S. Lee / |
| 第3著者 所属（和/英） | Dongguk University (略称： Dongguk Univ.) Dongguk University (略称： Dongguk Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | * / N. S. Kwak / |
| 第4著者 所属（和/英） | Dongguk University (略称： Dongguk Univ.) Dongguk University (略称： Dongguk Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | * / S. D. Kim / |
| 第5著者 所属（和/英） | Dongguk University (略称： Dongguk Univ.) Dongguk University (略称： Dongguk Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | * / J. K. Rhee / |
| 第6著者 所属（和/英） | Dongguk University (略称： Dongguk Univ.) Dongguk University (略称： Dongguk Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | * / W. J. Kim / |
| 第7著者 所属（和/英） | Agency for Defense Deevelopment (略称： ADD) Agency for Defense Deevelopment (略称： ADD) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第8著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
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| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-07-11 14:05:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2008-100, SDM2008-119 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.121(ED), no.122(SDM) |
| ページ範囲 | pp.317-320 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) |
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