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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-07-11 11:05 Improvement of the Leakage by Second Thermal Oxidation Process Power Trench Gate MOSFET ○Chien-Nan Liao（National Central Univ.）・Jhih-Chao Huang・Feng-Tso Chien（Feng Chia Univ.）・Chii-Wen Chen（Minghsin Univ. of Sci. and Tech.）・Yao-Tsung Tsai（National Central Univ.）  ED2008-74 SDM2008-93 |
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| 抄録 | （和） | Power MOSFETs are used as control switches in many application. Comparing with bipolar junction transistor, power MOSFET can be employed in high frequency system because of its high switching speed The power trench gate MOSFET structure is suitable for low voltage system and believed to be a good solution for obtaining low specific on-resistance because of the lack of parasitic JFET resistance and high cell density compares with the conventional power MOSFET. However, the high leakage current occurs from the gate and the source, which results from the loading effect, during the device etch process. In this study, we use second thermal oxidation process to form an oxidation layer to reduce the leakage. |
| （英） | Power MOSFETs are used as control switches in many application. Comparing with bipolar junction transistor, power MOSFET can be employed in high frequency system because of its high switching speed The power trench gate MOSFET structure is suitable for low voltage system and believed to be a good solution for obtaining low specific on-resistance because of the lack of parasitic JFET resistance and high cell density compares with the conventional power MOSFET. However, the high leakage current occurs from the gate and the source, which results from the loading effect, during the device etch process. In this study, we use second thermal oxidation process to form an oxidation layer to reduce the leakage. | |
| キーワード | （和） | Trench MOSFET / Power MOSFET / / / / / / |
| （英） | Trench MOSFET / Power MOSFET / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 122, SDM2008-93, pp. 183-186, 2008年7月. | |
| 資料番号 | SDM2008-93 | |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-74 SDM2008-93 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM ED |
| 開催期間 | 2008-07-09 - 2008-07-11 |
| 開催地（和） | かでる２・７（札幌） |
| 開催地（英） | Kaderu２・７ |
| テーマ（和） | 第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) |
| テーマ（英） | 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-07-SDM-ED |
| 本文の言語 | 英語 |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of the Leakage by Second Thermal Oxidation Process Power Trench Gate MOSFET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Trench MOSFET / Trench MOSFET |
| キーワード(2)（和/英） | Power MOSFET / Power MOSFET |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | Chien-Nan Liao / Chien-Nan Liao / |
| 第1著者 所属（和/英） | National Central University (略称： National Central Univ.) National Central University (略称： National Central Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | Jhih-Chao Huang / Jhih-Chao Huang / |
| 第2著者 所属（和/英） | Feng Chia University (略称： Feng Chia Univ.) Feng Chia University (略称： Feng Chia Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | Feng-Tso Chien / Feng-Tso Chien / |
| 第3著者 所属（和/英） | Feng Chia University (略称： Feng Chia Univ.) Feng Chia University (略称： Feng Chia Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | Chii-Wen Chen / Chii-Wen Chen / |
| 第4著者 所属（和/英） | Minghsin University of Science and Technology (略称： Minghsin Univ. of Sci. and Tech.) Minghsin University of Science and Technology (略称： Minghsin Univ. of Sci. and Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | Yao-Tsung Tsai / Yao-Tsung Tsai / |
| 第5著者 所属（和/英） | National Central University (略称： National Central Univ.) National Central University (略称： National Central Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-07-11 11:05:00 |
| 発表時間 | 15分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | ED2008-74, SDM2008-93 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.121(ED), no.122(SDM) |
| ページ範囲 | pp.183-186 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-07-02 (ED, SDM) |
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