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講演抄録/キーワード
講演名 2008-07-11 09:00
[招待講演]SiCパワートランジスタとそのDC/DCコンバータへの応用
北畠 真松下電器ED2008-71 SDM2008-90
抄録 (和) (まだ登録されていません) 
(英) The SiC power transistor is demonstrated as the normally-off MOSFET with high blocking voltage of 1400V and low Ron of 6.7 mΩcm2. The SiC MOSFET application for the 400V/3kW/100kHz DC/DC converter is also demonstrated. High speed (tf<48ns) SW of the SiC MOSFET was observed with Rg<5.6Ωgate drive. The turn-off SW loss is reduced to <77μJ/pulse which is less than 1/10 of that of the Si IGBT.
キーワード (和) / / / / / / /  
(英) SiC / MOSFET / normally-off / Ron / switch / converter / power conversion /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 121, ED2008-71, pp. 165-169, 2008年7月.
資料番号 ED2008-71 
発行日 2008-07-02 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2008-71 SDM2008-90

研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2008-07-09 - 2008-07-11 
開催地(和) かでる2・7(札幌) 
開催地(英) Kaderu2・7 
テーマ(和) 第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) 
テーマ(英) 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2008-07-SDM-ED 
本文の言語 英語(日本語タイトルあり) 
タイトル(和) SiCパワートランジスタとそのDC/DCコンバータへの応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) SiC Power Transistor and Its Application for DC/DC Converter 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) / SiC  
キーワード(2)(和/英) / MOSFET  
キーワード(3)(和/英) / normally-off  
キーワード(4)(和/英) / Ron  
キーワード(5)(和/英) / switch  
キーワード(6)(和/英) / converter  
キーワード(7)(和/英) / power conversion  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 北畠 真 / Makoto Kitabatake / キタバタケ マコト
第1著者 所属(和/英) 松下電器産業株式会社 先行デバイス開発センター (略称: 松下電器)
Advanced Device Development Center, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称: Matsushita Electric Industrial)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-07-11 09:00:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2008-71, SDM2008-90 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.121(ED), no.122(SDM) 
ページ範囲 pp.165-169 
ページ数
発行日 2008-07-02 (ED, SDM) 


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