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講演抄録/キーワード
講演名 2008-07-11 11:35
A Latchup-Free Power-Rail ESD Clamp Circuit with Stacked-Bipolar Devices in a High-Voltage Technology
Jae-Young ParkJong-Kyu SongChang-Soo JangJoon-Tae JangSan-Hong KimSung-Ki KimTaek-Soo KimDongbu HiTekED2008-76 SDM2008-95 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-76 SDM2008-95
抄録 (和) The holding voltage of the high-voltage devices the snapback breakdown condition has been known to be much smaller than the power supply voltage. Such characteristics cause the high-voltage ICs to be susceptible to the transient latch-up failure in the practical system applications, especially when these devices are used in the power-rail ESD clamp circuit. A new latchup-free design of the power-rail ESD clamp circuit with stacked-bipolar devices is proposed and successfully verified in a 0.35・ BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) process to achieve the desired ESD level. The total holding voltage of the stacked-bipolar devices in the snapback breakdown condition can be larger than the power supply voltage. 
(英) The holding voltage of the high-voltage devices the snapback breakdown condition has been known to be much smaller than the power supply voltage. Such characteristics cause the high-voltage ICs to be susceptible to the transient latch-up failure in the practical system applications, especially when these devices are used in the power-rail ESD clamp circuit. A new latchup-free design of the power-rail ESD clamp circuit with stacked-bipolar devices is proposed and successfully verified in a 0.35・ BCD (Bipolar-CMOS-DMOS) process to achieve the desired ESD level. The total holding voltage of the stacked-bipolar devices in the snapback breakdown condition can be larger than the power supply voltage.
キーワード (和) ESD (Electrostatic Discharge) / power-rail ESD clamp circuit / transient latch-up / stacked-bipolar devices / / / /  
(英) ESD (Electrostatic Discharge) / power-rail ESD clamp circuit / transient latch-up / stacked-bipolar devices / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 122, SDM2008-95, pp. 193-197, 2008年7月.
資料番号 SDM2008-95 
発行日 2008-07-02 (ED, SDM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2008-76 SDM2008-95 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-76 SDM2008-95

研究会情報
研究会 SDM ED  
開催期間 2008-07-09 - 2008-07-11 
開催地(和) かでる2・7(札幌) 
開催地(英) Kaderu2・7 
テーマ(和) 第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) 
テーマ(英) 2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 SDM 
会議コード 2008-07-SDM-ED 
本文の言語 英語 
タイトル(和)  
サブタイトル(和)  
タイトル(英) A Latchup-Free Power-Rail ESD Clamp Circuit with Stacked-Bipolar Devices in a High-Voltage Technology 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) ESD (Electrostatic Discharge) / ESD (Electrostatic Discharge)  
キーワード(2)(和/英) power-rail ESD clamp circuit / power-rail ESD clamp circuit  
キーワード(3)(和/英) transient latch-up / transient latch-up  
キーワード(4)(和/英) stacked-bipolar devices / stacked-bipolar devices  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) Jae-Young Park / Jae-Young Park /
第1著者 所属(和/英) Dongbu HiTek (略称: Dongbu HiTek)
Dongbu HiTek (略称: Dongbu HiTek)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) Jong-Kyu Song / Jong-Kyu Song /
第2著者 所属(和/英) Dongbu HiTek (略称: Dongbu HiTek)
Dongbu HiTek (略称: Dongbu HiTek)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) Chang-Soo Jang / Chang-Soo Jang /
第3著者 所属(和/英) Dongbu HiTek (略称: Dongbu HiTek)
Dongbu HiTek (略称: Dongbu HiTek)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) Joon-Tae Jang / Joon-Tae Jang /
第4著者 所属(和/英) Dongbu HiTek (略称: Dongbu HiTek)
Dongbu HiTek (略称: Dongbu HiTek)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) San-Hong Kim / San-Hong Kim /
第5著者 所属(和/英) Dongbu HiTek (略称: Dongbu HiTek)
Dongbu HiTek (略称: Dongbu HiTek)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) Sung-Ki Kim / Sung-Ki Kim /
第6著者 所属(和/英) Dongbu HiTek (略称: Dongbu HiTek)
Dongbu HiTek (略称: Dongbu HiTek)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) Taek-Soo Kim / Taek-Soo Kim /
第7著者 所属(和/英) Dongbu HiTek (略称: Dongbu HiTek)
Dongbu HiTek (略称: Dongbu HiTek)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-07-11 11:35:00 
発表時間 15分 
申込先研究会 SDM 
資料番号 ED2008-76, SDM2008-95 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.121(ED), no.122(SDM) 
ページ範囲 pp.193-197 
ページ数
発行日 2008-07-02 (ED, SDM) 


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