講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-07-11 14:35
Simulation of Tunneling Contact Resistivity in Non-polar AlGaN/GaN Heterostructures ○Hironari Chikaoka・Youichi Takakuwa・Kenji Shiojima・Masaaki Kuzuhara(Univ. of Fukui) ED2008-104 SDM2008-123 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-104 SDM2008-123 |
抄録 |
(和) |
(まだ登録されていません) |
(英) |
This paper describes optimum design for non-polar AlGaN/GaN heterostructures with reduced ohmic contact resistances. The tunneling contact resistivity was evaluated based upon numerical calculation of tunneling current density across AlGaN barrier layers. By introducing an n+-AlXGa1-XN layer between n+-GaN cap layer and AlGaN barrier layer, the tunneling contact resistivity was improved by as large as four orders of magnitude, compared to standard AlGaN/GaN structures. |
キーワード |
(和) |
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(英) |
GaN / contact resistivity / HEMT / contact resistance / tunneling current density / potential barrier / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 122, SDM2008-123, pp. 337-340, 2008年7月. |
資料番号 |
SDM2008-123 |
発行日 |
2008-07-02 (ED, SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ED2008-104 SDM2008-123 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-104 SDM2008-123 |
研究会情報 |
研究会 |
SDM ED |
開催期間 |
2008-07-09 - 2008-07-11 |
開催地(和) |
かでる2・7(札幌) |
開催地(英) |
Kaderu2・7 |
テーマ(和) |
第16回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2008) |
テーマ(英) |
2008 Asia-Pacific Workshop on Fundamentals and Applications of Advanced Semiconductor Devices |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
SDM |
会議コード |
2008-07-SDM-ED |
本文の言語 |
英語 |
タイトル(和) |
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サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Simulation of Tunneling Contact Resistivity in Non-polar AlGaN/GaN Heterostructures |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
/ GaN |
キーワード(2)(和/英) |
/ contact resistivity |
キーワード(3)(和/英) |
/ HEMT |
キーワード(4)(和/英) |
/ contact resistance |
キーワード(5)(和/英) |
/ tunneling current density |
キーワード(6)(和/英) |
/ potential barrier |
キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
近岡 大成 / Hironari Chikaoka / |
第1著者 所属(和/英) |
福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Univ. of Fukui) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
高桑 陽一 / Youichi Takakuwa / |
第2著者 所属(和/英) |
福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Univ. of Fukui) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
塩島 謙次 / Kenji Shiojima / |
第3著者 所属(和/英) |
福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Univ. of Fukui) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara / |
第4著者 所属(和/英) |
福井大学 (略称: 福井大)
University of Fukui (略称: Univ. of Fukui) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2008-07-11 14:35:00 |
発表時間 |
15分 |
申込先研究会 |
SDM |
資料番号 |
ED2008-104, SDM2008-123 |
巻番号(vol) |
vol.108 |
号番号(no) |
no.121(ED), no.122(SDM) |
ページ範囲 |
pp.337-340 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2008-07-02 (ED, SDM) |
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