| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2008-07-17 11:20
[招待講演]コンパクトモデルの進化 ~ 表面ポテンシャルを用いたHiSIMモデルの特徴 ~ ○大黒達也(東芝/広島大)・三浦道子(広島大) SDM2008-133 ICD2008-43 |
| 抄録 |
(和) |
LSI設計の基盤となるトランジスタのコンパクトモデルが代わりつつある。ここ10年間はCMOSデジタル回路に最適化されたVthベースのBSIM(Berkeley Short-Channel IGFET Model)が業界標準だったが、最近はアナログ回路やRF回路もCMOSで作る機会が増え,新しいモデルが必要になった。HiSIMを代表とする表面ポテンシャルモデルが、その期待に答えるべく脚光を浴びているが、どのような特徴やメリットがあるかについて御紹介する。 |
| (英) |
HiSIM model based on the surface potential model has been popular because the model can accurately simulate analog and RF circuits. On the other hand, BSIM model based on Vth can not satisfy those circuit requirements. In this paper, the concepts of the surface potential model and the performance of HiSIM model are presented. |
| キーワード |
(和) |
コンパクトモデル / 表面ポテンシャル / HiSIM / BSIM / 歪み / / / |
| (英) |
Compact model / Surface potential / HiSIM / BSIM / Harmonic distortion / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 140, ICD2008-43, pp. 29-34, 2008年7月. |
| 資料番号 |
ICD2008-43 |
| 発行日 |
2008-07-10 (SDM, ICD) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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