7月17日(木) 午前  座長: 川中 繁（東芝） 09:00 - 10:15
(1)	09:00-09:25	(100), (110)基板上High-k/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察 SDM2008-128 ICD2008-38	○佐藤基之・杉田義博・青山敬幸・奈良安雄・大路　譲（半導体先端テクノロジーズ）
(2)	09:25-09:50	High-kゲート絶縁膜を有するp-MOSFETにおけるドレイン電流の変動 ～ ゲート絶縁膜中トラップによる単一正孔の捕獲・放出の影響 ～ SDM2008-129 ICD2008-39	○小林茂樹・齋藤真澄・内田　建（東芝）
(3)	09:50-10:15	45nm世代SRAM向けHfSiOxを用いたしきい値電圧ばらつきの低減 SDM2008-130 ICD2008-40	○筒井　元・角田一晃・刈谷奈由太・秋山　豊・阿部倫久・丸山信也・深瀬　匡・鈴木三惠子・山縣保司・今井清隆（NECエレクトロニクス）
	10:15-10:30	休憩　（ 15分 ）
7月17日(木) 午前  座長: 上田 佳孝（三洋電機） 10:30 - 12:10
(4)	10:30-10:55	プロセスばらつきや温度耐性を向上した45nm SoC向け混載SRAM SDM2008-131 ICD2008-41	○薮内　誠・新居浩二・塚本康正・大林茂樹・今岡　進（ルネサステクノロジ）・山上由展・石倉　聡・寺野登志夫・里見勝治・赤松寛範（松下電器）・篠原尋文（ルネサステクノロジ）
(5)	10:55-11:20	高信頼なLSIを実現するための微小遅延欠陥検出技術 SDM2008-132 ICD2008-42	○野口宏一朗・野瀬浩一（NEC）・尾野年信（NECエレクトロニクス）・水野正之（NEC）
(6)	11:20-12:10	［招待講演］コンパクトモデルの進化 ～ 表面ポテンシャルを用いたHiSIMモデルの特徴 ～ SDM2008-133 ICD2008-43	○大黒達也（東芝/広島大）・三浦道子（広島大）
	12:10-13:10	昼食　（ 60分 ）
7月17日(木) 午後  座長: 渡辺 重佳（湘南工大） 13:10 - 14:50
(7)	13:10-14:00	［招待講演］究極の集積化を目指すスーパーチップ技術 SDM2008-134 ICD2008-44	○小柳光正・田中　徹（東北大）
(8)	14:00-14:50	［特別講演］微細トランジスタにおける特性ばらつきの現状と将来動向 SDM2008-135 ICD2008-45	○平本俊郎（東大/MIRAI-Selete）・竹内　潔・角村貴昭（MIRAI-Selete）・Arifin T.P.（東大）・西田彰男・蒲原史朗（MIRAI-Selete）
	14:50-15:05	休憩　（ 15分 ）
7月17日(木) 午後  座長: 平本 俊郎（東大） 15:05 - 16:20
(9)	15:05-15:30	ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現 SDM2008-136 ICD2008-46	○亀代典史・渡部隆夫・石井智之・峰　利之（日立）・佐野聡明（ルネサス北日本セミコンダクタ）・伊部英史・秋山　悟（日立）・柳沢一正・一法師隆志・岩松俊明・高橋保彦（ルネサステクノロジ）
(10)	15:30-15:55	独立したゲートを持つスタック型3次元トランジスタによるシステムLSIの設計法 SDM2008-137 ICD2008-47	○廣島　佑・渡辺重佳（湘南工科大）
(11)	15:55-16:20	カーボンナノチューブ素子におけるデバイスと回路のCo-Design ～ カーボンナノチューブがシリコンCMOSを凌駕するためには? ～ SDM2008-138 ICD2008-48	○藤田　忍（東芝）
	16:20-16:35	休憩　（ 15分 ）
7月17日(木) 午後  座長: 川中 繁（東芝） 16:35 - 17:35
(12)	16:35-17:35	［パネル討論］新デバイス・回路技術の将来展望（１） 大黒達也（広大，東芝）・小柳光正（東北大）・平本俊郎（東大）
7月18日(金) 午前  座長: 浦野 正美（NTT） 09:00 - 10:15
(13)	09:00-09:25	サブスレッショルド領域で動作する低消費電力LSIの高速化の検討 SDM2008-139 ICD2008-49	○鶴窪　淳・渡辺重佳（湘南工科大）
(14)	09:25-09:50	リアルタイムスケジューリングを用いたシステムLSI電源電圧の低電力化の検討 SDM2008-140 ICD2008-50	○佐藤賢和・渡辺重佳（湘南工科大）
(15)	09:50-10:15	突入電流バイパス電源配線を用いて1μs以内で電源復帰できるパワーゲーティング技術 SDM2008-141 ICD2008-51	○中山耕一・川崎健一・塩田哲義・井上淳樹（富士通研）
	10:15-10:30	休憩　（ 15分 ）
7月18日(金) 午前  座長: 岡野 廣（富士通） 10:30 - 12:10
(16)	10:30-11:20	［招待講演］CMOS技術によるバイオメディカルフォトニックデバイス SDM2008-142 ICD2008-52	○徳田　崇・太田　淳（奈良先端大）
(17)	11:20-12:10	［招待講演］無線/光配線による三次元集積の課題と展望 SDM2008-143 ICD2008-53	○岩田　穆・横山　新（広島大）
	12:10-13:10	昼食　（ 60分 ）
7月18日(金) 午後  座長: 堺谷 智（ローム） 13:10 - 14:00
(18)	13:10-14:00	［招待講演］集積化MEMSのRF CMOSへの期待 SDM2008-144 ICD2008-54	○益　一哉（東工大）
	14:00-14:15	休憩　（ 15分 ）
7月18日(金) 午後  座長: 川中 繁（東芝） 14:15 - 15:55
(19)	14:15-14:40	先端不揮発性メモリのBiCS型積層化に関する検討 ～ BiCS型FeRAM、MRAMの基礎検討 ～ SDM2008-145 ICD2008-55	○渡辺重佳・菅野孝一・玉井翔人（湘南工科大）
(20)	14:40-15:05	FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善 SDM2008-146 ICD2008-56	○鬼沢　岳・加藤慎一・青山敬幸・奈良安雄・大路　譲（半導体先端テクノロジーズ）
(21)	15:05-15:30	極微細TaCx/HfSiONデバイスの性能および歪み効果に対するTaCx組成の影響 SDM2008-147 ICD2008-57	○後藤正和・辰村光介・川中　繁・中嶋一明・市原玲華・吉水康人・小野田裕之・長友浩二・佐々木俊行・福島　崇・野町映子・犬宮誠治・青山知憲・小山正人・豊島義明（東芝）
(22)	15:30-15:55	ハイブリッド・ゲート構造(NMOS:不純物閉じ込め層/PMOS:FLAによるNi-FUSI）を有する高性能サブ35nmバルクCMOSFET ～ ハイブリッド・ゲート構造 ～ SDM2008-148 ICD2008-58	大田裕之（富士通研）・川村和郎（富士通マイクロエレクトロニクス）・福留秀暢（富士通研）・田島　貢・岡部堅一（富士通マイクロエレクトロニクス）・○池田圭司・保坂公彦・籾山陽一・佐藤成生・杉井寿博（富士通研）
	15:55-16:10	休憩　（ 15分 ）
7月18日(金) 午後  座長: 井上 弘士（九大） 16:10 - 17:10
(23)	16:10-17:10	［パネル討論］新デバイス・回路技術の将来展望（２） 徳田 崇（奈良先端大）・岩田 穆（広大）・益 一哉（東工大）

問合先と今後の予定
SDM	シリコン材料・デバイス研究会（SDM）   [今後の予定はこちら]
	問合先	川中繁 (東芝) TEL 045-776-5670, FAX 045-776-4104 E- geba
ICD	集積回路研究会（ICD）   [今後の予定はこちら]
	問合先	相本代志治 (NECエレクトロニクス) TEL 044-435-1258,FAX 044-435-1878 E-:aicel

Last modified: 2008-05-23 14:43:01