| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-07-17 15:55 カーボンナノチューブ素子におけるデバイスと回路のCo-Design ～ カーボンナノチューブがシリコンCMOSを凌駕するためには? ～ ○藤田 忍（東芝）  SDM2008-138 ICD2008-48 |
|
| 抄録 | （和） | 将来、シリコン（Si）CMOSを置き換える新材料(ポストSi)素子が期待される。本論文では、素子と回路のCo-designの観点から、種種の半導体材料を比較し、カーボンナノチューブ（CNT）が最も有力な候補の一つであることを述べる。さらに、CNTを使った２種類の素子、つまりトランジスタ（CNFET）と、ナノスケールの電気機械的スイッチ素子(NEMS)が、いくつかの具体的な回路でCMOSを凌駕するための要件を分析した。 |
| （英） | Emerging devices using new materials (post-Si) are expected to replace Si-based MOSFET in future. This paper firstly clarifies carbon-nanotube (CNT) is the most promising candidate for it by analyzing based on “co-design” of future CMOS. Also, this paper assesses requirement for two kinds of CNT-based devices, FETs (CNFET) and nano-electromechanical-switches (NEMS), to be beyond Si based CMOS performance of some circuits. | |
| キーワード | （和） | カーボンナノチューブ / カーボンナノチューブトランジスタ / メカニカルスイッチ / ＭＥＭＳスイッチ / ポストシリコン / / / |
| （英） | Carbon nanotube / CNT / CNFET / NEMS / post-Si / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 140, ICD2008-48, pp. 59-64, 2008年7月. | |
| 資料番号 | ICD2008-48 | |
| 発行日 | 2008-07-10 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-138 ICD2008-48 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2008-07-17 - 2008-07-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2008-07-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | カーボンナノチューブ素子におけるデバイスと回路のCo-Design |
| サブタイトル（和） | カーボンナノチューブがシリコンCMOSを凌駕するためには? |
| タイトル（英） | Co-design of CNT based devices and circuitry |
| サブタイトル（英） | How can CNT-based circuit overcome Si-CMOS? |
| キーワード(1)（和/英） | カーボンナノチューブ / Carbon nanotube |
| キーワード(2)（和/英） | カーボンナノチューブトランジスタ / CNT |
| キーワード(3)（和/英） | メカニカルスイッチ / CNFET |
| キーワード(4)（和/英） | ＭＥＭＳスイッチ / NEMS |
| キーワード(5)（和/英） | ポストシリコン / post-Si |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤田 忍 / Shinobu Fujita / フジタ シノブ |
| 第1著者 所属（和/英） | (株)東芝研究開発センター (略称： 東芝) Toshiba R&D Center (略称： Toshiba RDC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-07-17 15:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | SDM2008-138, ICD2008-48 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.139(SDM), no.140(ICD) |
| ページ範囲 | pp.59-64 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-07-10 (SDM, ICD) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]