| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-07-18 14:40 FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善 ○鬼沢 岳・加藤慎一・青山敬幸・奈良安雄・大路 譲（半導体先端テクノロジーズ）  SDM2008-146 ICD2008-56 |
|
| 抄録 | （和） | 自由にパルス形状を変えることの出来るフラッシュランプアニール技術(FSP-FLA: Flexibly-Shaped-Pulse Flash-Lamp-Anneal)を用いて、極浅接合形成およびメタル／高誘電率絶縁膜トランジスタの特性改善を行った。従来のFLA処理は、メタル／高誘電率絶縁膜トランジスタの移動度劣化・BTI（Bias Temperature Instability）寿命の劣化を引き起こす。FLA処理後の回復アニールによりそれらの劣化は改善できるが、不純物の拡散・不活性化を伴うため浅接合形成が困難となる。FSP-FLAを用い、高出力フラッシュ後に低出力・10ミリ秒のフラッシュを追加することで、不純物の拡散・不活性化を伴うことなく、高移動度・高BTI寿命を得ることに成功したので報告する。 |
| （英） | We propose the suitable milli-second annealing (MSA) for metal/high-k device performance and ultra-shallow-junction (USJ) fabrication: flexibly-shaped-pulse flash lamp annealing (FSP-FLA). The conventional FLA treatment on metal/high-k device degrades its effective electron mobility and bias temperature instability (BTI) characteristics. A recovery annealing treatment after FLA is most effective to recover those degradations. However, the annealing after dopant activation causes deactivation and diffusion. The FSP-FLA allowed us sub-10-milli-second annealing after activation FLA; it realizes high BTI reliability and high mobility without deactivation and diffusion. | |
| キーワード | （和） | フラッシュランプアニール / 浅接合 / メタルゲート / 高誘電率絶縁膜 / / / / |
| （英） | FLA / USJ / Metal Gate / High-k / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 139, SDM2008-146, pp. 103-108, 2008年7月. | |
| 資料番号 | SDM2008-146 | |
| 発行日 | 2008-07-10 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-146 ICD2008-56 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2008-07-17 - 2008-07-18 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-07-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Ultra Shallow Junction and Improvement of Metal Gate High-k CMOS Performance by FSP-FLA (Flexibly-Shaped-Pulse Flash-Lamp-Annealing) Technology |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | フラッシュランプアニール / FLA |
| キーワード(2)（和/英） | 浅接合 / USJ |
| キーワード(3)（和/英） | メタルゲート / Metal Gate |
| キーワード(4)（和/英） | 高誘電率絶縁膜 / High-k |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鬼沢 岳 / Takashi Onizawa / オニザワ タカシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社半導体先端テクノロジーズ (略称： 半導体先端テクノロジーズ) Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (略称： selete) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 加藤 慎一 / Shinichi Kato / カトウ シンイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社半導体先端テクノロジーズ (略称： 半導体先端テクノロジーズ) Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (略称： selete) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 青山 敬幸 / Takayuki Aoyama / アオヤマ タカユキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社半導体先端テクノロジーズ (略称： 半導体先端テクノロジーズ) Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (略称： selete) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 奈良 安雄 / Yasuo Nara / ナラ ヤスオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社半導体先端テクノロジーズ (略称： 半導体先端テクノロジーズ) Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (略称： selete) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大路 譲 / Yuzuru Ohji / オオジ ユズル |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社半導体先端テクノロジーズ (略称： 半導体先端テクノロジーズ) Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc. (略称： selete) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-07-18 14:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-146, ICD2008-56 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.139(SDM), no.140(ICD) |
| ページ範囲 | pp.103-108 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-07-10 (SDM, ICD) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]