講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-07-18 09:50
突入電流バイパス電源配線を用いて1μs以内で電源復帰できるパワーゲーティング技術 ○中山耕一・川崎健一・塩田哲義・井上淳樹(富士通研) SDM2008-141 ICD2008-51 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2008-141 ICD2008-51 |
抄録 |
(和) |
低消費電力SoC向けに1μs以内で電源復帰可能なパワーゲーティング技術を開発した。本技術の特徴は、電源復帰時に発生する電源ノイズを抑制するため、突入電流をバイパスさせる専用の電源配線と電源スイッチを用いることにある。
今回2つの異なるプロセッサコアを備える低消費電力SoCを90nm CMOSテクノロジを用いて試作し、本技術を適用した。この結果、電源ノイズを2.5mVに抑制しつつ、200万ゲート規模の回路を0.24μsで電源復帰が可能なことを実証した。 |
(英) |
A sub-$\micro$s wake-up power gating technique was developed for low power SOCs. It uses two types of power switches and separated power lines bypassing rush current to suppress power supply voltage fluctuations. We applied this technique to a heterogeneous dual-core microprocessor fabricated in 90nm CMOS technology. When wake-up time on the 2M-gate scale circuit was set to 0.24$\micro$s, the supply voltage fluctuation was suppressed to 2.5mV. |
キーワード |
(和) |
待機時リーク電力 / 電源遮断 / 復帰時間 / 突入電流 / 電源ノイズ / パワーゲーティング / / |
(英) |
stand-by leakage / power gating / wake-up time / rush current noise / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 140, ICD2008-51, pp. 77-82, 2008年7月. |
資料番号 |
ICD2008-51 |
発行日 |
2008-07-10 (SDM, ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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