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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-08-04 14:15 シリコン微結晶面放射型冷陰極の電子放射特性 ○嶋脇秀隆・木田 庸（八戸工大）・根尾陽一郎・三村秀典（静岡大）・村上勝久・若家富士夫・高井幹夫（阪大）  ED2008-112 |
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| 抄録 | （和） | 極薄酸化膜で被覆されたナノ結晶シリコン（nc-Si）からなる面放射型冷陰極を製作し、電子放射特性および放射電子のエネルギー分布の測定を行った。その結果、ゲート電極材料の仕事関数程度の低電圧においてエミッションを観測した。これまでに、ゲート電極膜厚を薄膜化することで電子放射効率（全電流に対する放射電流の割合）４％を得ている。放射電子のエネルギー分散は、2～4 eV（FWHM）と広く、ゲート電圧に強く依存している。また、分布は、ゲート電圧の増加と共に高エネルギー側に移動する。電子放射部を小さくアレイ化した場合、エネルギー分散は0.5～1.5eVと狭くなり、高電圧側への移動も著しくはない。ゲート電極内には、無数の亀裂（ナノホール）が観測されていることから、ナノホールを経由した電界放射電子も電子放射に関与していることを示唆している。 |
| （英） | Emission characteristics of planar cathodes based on nanocrystalline Si covered with a thin oxide film have been studied. The electron emission occurred at the gate voltage higher than the work function of the Au gate, and the emission efficiency was improved up to 4 % by reducing the thickness of Au electrode. A lot of nanoholes in the thin Au film were observed, suggesting emission included electrons directly emitted from nanocrystalline aligned under nanoholes. The energy distribution of emitted electron is also discussed. | |
| キーワード | （和） | MOS / トンネル陰極 / 電界電子放射陰極 / 電子放射 / ナノ結晶シリコン / / / |
| （英） | MOS / tunneling cathode / field emitter / electron emission / nanocrystalline silicon / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 177, ED2008-112, pp. 15-20, 2008年8月. | |
| 資料番号 | ED2008-112 | |
| 発行日 | 2008-07-28 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-112 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2008-08-04 - 2008-08-05 |
| 開催地（和） | 静岡大学浜松キャンパス |
| 開催地（英） | Sizuoka Univ. Hamamatsu Campus |
| テーマ（和） | 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-08-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | シリコン微結晶面放射型冷陰極の電子放射特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electron emission from nanocrystalline silicon based MOS chathodes |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(2)（和/英） | トンネル陰極 / tunneling cathode |
| キーワード(3)（和/英） | 電界電子放射陰極 / field emitter |
| キーワード(4)（和/英） | 電子放射 / electron emission |
| キーワード(5)（和/英） | ナノ結晶シリコン / nanocrystalline silicon |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 嶋脇 秀隆 / Hidetaka Shimawaki / シマワキ ヒデタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 八戸工業大学 (略称： 八戸工大) Hachinohe Institute of Technology (略称： Hachinohe Inst. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木田 庸 / Yo Kida / キダ ヨウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 八戸工業大学 (略称： 八戸工大) Hachinohe Institute of Technology (略称： Hachinohe Inst. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 根尾 陽一郎 / Yoichiro Neo / ネオ ヨウイチロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三村 秀典 / Hidenori Mimura / ミムラ ヒデノリ |
| 第4著者 所属（和/英） | 静岡大学 (略称： 静岡大) Shizuoka University (略称： Shizuoka Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村上 勝久 / Katsuhisa Murakami / ムラカミ カツヒサ |
| 第5著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若家 富士夫 / Fujio Wakaya / ワカヤ フジオ |
| 第6著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高井 幹夫 / Mikio Takai / タカイ ミキオ |
| 第7著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-08-04 14:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-112 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.177 |
| ページ範囲 | pp.15-20 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-07-28 (ED) |
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