講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-08-04 14:15
シリコン微結晶面放射型冷陰極の電子放射特性 ○嶋脇秀隆・木田 庸(八戸工大)・根尾陽一郎・三村秀典(静岡大)・村上勝久・若家富士夫・高井幹夫(阪大) ED2008-112 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2008-112 |
抄録 |
(和) |
極薄酸化膜で被覆されたナノ結晶シリコン(nc-Si)からなる面放射型冷陰極を製作し、電子放射特性および放射電子のエネルギー分布の測定を行った。その結果、ゲート電極材料の仕事関数程度の低電圧においてエミッションを観測した。これまでに、ゲート電極膜厚を薄膜化することで電子放射効率(全電流に対する放射電流の割合)4%を得ている。放射電子のエネルギー分散は、2~4 eV(FWHM)と広く、ゲート電圧に強く依存している。また、分布は、ゲート電圧の増加と共に高エネルギー側に移動する。電子放射部を小さくアレイ化した場合、エネルギー分散は0.5~1.5eVと狭くなり、高電圧側への移動も著しくはない。ゲート電極内には、無数の亀裂(ナノホール)が観測されていることから、ナノホールを経由した電界放射電子も電子放射に関与していることを示唆している。 |
(英) |
Emission characteristics of planar cathodes based on nanocrystalline Si covered with a thin oxide film have been studied. The electron emission occurred at the gate voltage higher than the work function of the Au gate, and the emission efficiency was improved up to 4 % by reducing the thickness of Au electrode. A lot of nanoholes in the thin Au film were observed, suggesting emission included electrons directly emitted from nanocrystalline aligned under nanoholes. The energy distribution of emitted electron is also discussed. |
キーワード |
(和) |
MOS / トンネル陰極 / 電界電子放射陰極 / 電子放射 / ナノ結晶シリコン / / / |
(英) |
MOS / tunneling cathode / field emitter / electron emission / nanocrystalline silicon / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 177, ED2008-112, pp. 15-20, 2008年8月. |
資料番号 |
ED2008-112 |
発行日 |
2008-07-28 (ED) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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