講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-08-04 14:50
交互積層法によるMg-Ni薄膜の作製 ○清水英彦・平田 真・岡田智弘・岩野春男・川上貴浩(新潟大) CPM2008-43 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2008-43 |
抄録 |
(和) |
本研究では,マグネトロンスパッタ(MS)法及びスパッタビーム堆積(SBD)法を用いてMg膜とNi膜を交互に積層する方法により,Mg-Ni薄膜の微細構造の制御方法の検討をするとともに,この方法により作製された薄膜の基礎的な特性を明らかにすることを目的に検討を行った。その結果,MS法により室温で作製された膜からは,Mg(002)面からの回折ピークが顕著に観測されたのに対し,SBD法により室温で堆積された膜からはNi(111)面からの回折ピークは観測された。室温で作製した場合,MS法に比べSBD法により作製された膜の方が,Mg膜とNi膜の界面がより急峻であった。希釈された水素雰囲気中での透過率は,SBD法により作製された膜よりMS法により作製された膜の方が高くなった。 |
(英) |
Mg-Ni films were attempted by alternation layer deposition of Mg film and Ni film using magnetron spattering (MS) and sputter-beam deposition (SBD) method. As a result, The diffraction peak from the Mg(002) plane was observed in the films deposited by MS method, whereas the diffraction peak from the Ni(111) plane was observed in the films deposited by SBD method. When films deposited at room temperature, the interface between the Mg and the Ni of the film deposited by SBD method was clearer than that of the film made by the MS method. The transmittance in the diluted hydrogen atmosphere of the films deposited by MS method was higher than that of the films made by SBD method. |
キーワード |
(和) |
Mg-Ni膜 / 交互積層 / 調光ミラー / マグネトロンスパッタ法 / スパッタビーム堆積法 / / / |
(英) |
Mg-Ni Film / Alternate Layer Deposition / Switching mirror / Magnetron Spattering Method / putter-Beam Deposition Method / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 178, CPM2008-43, pp. 9-14, 2008年8月. |
資料番号 |
CPM2008-43 |
発行日 |
2008-07-28 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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