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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-08-04 14:00 表面波プラズマ装置の開発と半導体プロセスへの応用 ○福田 永（室蘭工大）・古川雅一（アリエース・リサーチ）  CPM2008-41 |
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| 抄録 | （和） | 本研究は、高密度表面波プラズマ装置の開発と次世代半導体プロセスへの応用を目的としている。今回、300℃以下の低温領域でシリコン窒化膜（Si3N4膜）を堆積し、その組成評価および電子デバイスへの応用について検討を行った。Si3N4膜において、水蒸気透湿率（WVTR）が0.083ｇ/m2・dayとなり、十分な保護膜特性が得られた。また、リーク電流が1.0×10-9 A以下となり、マイクロディスプレイに適用できる見通しを得た。 |
| （英） | We have developed a high-density surface-wave plasma apparatus for the application to next generation semiconductor fabrication processing. In this study, silicon nitride films (Si3N4 films) were deposited below 300℃ and the film composition were evaluated in the view of their electronic device application. The Si3N4 films showed the water vapor transmission rate (WVTR) of 0.083ｇ/m2・day applicable to device coating film. The Si3N4 films indicated low leakage current below 1.0×10-9 A to realize a microdisplay application. | |
| キーワード | （和） | 化学気相成長 / 表面波プラズマ / シリコン窒化膜 / ディスプレイ保護膜 / / / / |
| （英） | Chemical Vapor Deposition / Surface-wave Plasma / Silicon Nitride Film / Display Passivation / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 178, CPM2008-41, pp. 1-4, 2008年8月. | |
| 資料番号 | CPM2008-41 | |
| 発行日 | 2008-07-28 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2008-41 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2008-08-04 - 2008-08-04 |
| 開催地（和） | 室蘭工業大学 |
| 開催地（英） | Muroran Institute of Technology |
| テーマ（和） | 電子部品・材料，一般 |
| テーマ（英） | Electronic Component Parts and Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2008-08-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 表面波プラズマ装置の開発と半導体プロセスへの応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of Surface-Wave Plasma Generation Apparatus and Application to Semiconductor Processing |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 化学気相成長 / Chemical Vapor Deposition |
| キーワード(2)（和/英） | 表面波プラズマ / Surface-wave Plasma |
| キーワード(3)（和/英） | シリコン窒化膜 / Silicon Nitride Film |
| キーワード(4)（和/英） | ディスプレイ保護膜 / Display Passivation |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 永 / Hisashi Fukuda / フクダ ヒサシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 室蘭工業大学 (略称： 室蘭工大) Muroran Institute of Technology (略称： Muroran Inst. Technol.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 古川 雅一 / Masakazu Furukawa / フルカワ マサカズ |
| 第2著者 所属（和/英） | アリエース・リサーチ (略称： アリエース・リサーチ) Aries Research (略称： ARIC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-08-04 14:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2008-41 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.178 |
| ページ範囲 | pp.1-4 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-07-28 (CPM) |
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