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講演抄録/キーワード
講演名 2008-08-04 15:50
ポリ3ヘキシルチオフェン薄膜形成と有機トランジスタへの応用
福田 永植杉克弘室蘭工大CPM2008-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2008-45
抄録 (和) スピンコート法を用い、位置規則性を持つポリ3ヘキシルチオフェン(P3HT)膜の形成を試みた。P3HT膜は、適度な条件下での成膜後、安定な結晶構造を示した。薄膜トランジスタ(TFT)において、pチャネルモード動作を示し、最大キャリア移動度において、1.2×10-3 cm2/Vsを有する性能が得られた。さらに、8638 ppm のH2ガスに応答することが確認できた。 
(英) Regioregular poly-3-hexylthiophene (P3HT) thin films were formed using a spin coating technique. After deposition in a moderate condition, the P3HT films showed a stable crystal structure. The TFTs indicate the maximum field-effect mobility of 1.2×10-3 cm2/Vs in the p-channel operating mode. Using the transistor, it was possible to detect 8638 ppm of H2 gas.
キーワード (和) 有機薄膜 / ポリ3ヘキシルチオフェン / 薄膜トランジスタ / ガスセンサ / 水素 / / /  
(英) Organic Thin Film / Poly-3-hexylthiophene / Thin-film Transistor / Gas Sensor / Hydrogen / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 178, CPM2008-45, pp. 19-22, 2008年8月.
資料番号 CPM2008-45 
発行日 2008-07-28 (CPM) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード CPM2008-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2008-45

研究会情報
研究会 CPM  
開催期間 2008-08-04 - 2008-08-04 
開催地(和) 室蘭工業大学 
開催地(英) Muroran Institute of Technology 
テーマ(和) 電子部品・材料,一般 
テーマ(英) Electronic Component Parts and Materials, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 CPM 
会議コード 2008-08-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ポリ3ヘキシルチオフェン薄膜形成と有機トランジスタへの応用 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Poly-3-hexylthiophene Thin Film Formation and Application to Organic Thin Film Transistor 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 有機薄膜 / Organic Thin Film  
キーワード(2)(和/英) ポリ3ヘキシルチオフェン / Poly-3-hexylthiophene  
キーワード(3)(和/英) 薄膜トランジスタ / Thin-film Transistor  
キーワード(4)(和/英) ガスセンサ / Gas Sensor  
キーワード(5)(和/英) 水素 / Hydrogen  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 福田 永 / Hisashi Fukuda / フクダ ヒサシ
第1著者 所属(和/英) 室蘭工業大学 (略称: 室蘭工大)
Muroran Institute of Technology (略称: Muroran Inst. Technol.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 植杉 克弘 / Katsuhiro Uesugi / ウエスギ カツヒロ
第2著者 所属(和/英) 室蘭工業大学 (略称: 室蘭工大)
Muroran Institute of Technology (略称: Muroran Inst. Technol.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-08-04 15:50:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 CPM 
資料番号 CPM2008-45 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.178 
ページ範囲 pp.19-22 
ページ数
発行日 2008-07-28 (CPM) 


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