講演抄録/キーワード |
講演名 |
2008-08-04 15:50
ポリ3ヘキシルチオフェン薄膜形成と有機トランジスタへの応用 ○福田 永・植杉克弘(室蘭工大) CPM2008-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2008-45 |
抄録 |
(和) |
スピンコート法を用い、位置規則性を持つポリ3ヘキシルチオフェン(P3HT)膜の形成を試みた。P3HT膜は、適度な条件下での成膜後、安定な結晶構造を示した。薄膜トランジスタ(TFT)において、pチャネルモード動作を示し、最大キャリア移動度において、1.2×10-3 cm2/Vsを有する性能が得られた。さらに、8638 ppm のH2ガスに応答することが確認できた。 |
(英) |
Regioregular poly-3-hexylthiophene (P3HT) thin films were formed using a spin coating technique. After deposition in a moderate condition, the P3HT films showed a stable crystal structure. The TFTs indicate the maximum field-effect mobility of 1.2×10-3 cm2/Vs in the p-channel operating mode. Using the transistor, it was possible to detect 8638 ppm of H2 gas. |
キーワード |
(和) |
有機薄膜 / ポリ3ヘキシルチオフェン / 薄膜トランジスタ / ガスセンサ / 水素 / / / |
(英) |
Organic Thin Film / Poly-3-hexylthiophene / Thin-film Transistor / Gas Sensor / Hydrogen / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 108, no. 178, CPM2008-45, pp. 19-22, 2008年8月. |
資料番号 |
CPM2008-45 |
発行日 |
2008-07-28 (CPM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
CPM2008-45 エレソ技報アーカイブへのリンク:CPM2008-45 |
研究会情報 |
研究会 |
CPM |
開催期間 |
2008-08-04 - 2008-08-04 |
開催地(和) |
室蘭工業大学 |
開催地(英) |
Muroran Institute of Technology |
テーマ(和) |
電子部品・材料,一般 |
テーマ(英) |
Electronic Component Parts and Materials, etc. |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
CPM |
会議コード |
2008-08-CPM |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
ポリ3ヘキシルチオフェン薄膜形成と有機トランジスタへの応用 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Poly-3-hexylthiophene Thin Film Formation and Application to Organic Thin Film Transistor |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
有機薄膜 / Organic Thin Film |
キーワード(2)(和/英) |
ポリ3ヘキシルチオフェン / Poly-3-hexylthiophene |
キーワード(3)(和/英) |
薄膜トランジスタ / Thin-film Transistor |
キーワード(4)(和/英) |
ガスセンサ / Gas Sensor |
キーワード(5)(和/英) |
水素 / Hydrogen |
キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
福田 永 / Hisashi Fukuda / フクダ ヒサシ |
第1著者 所属(和/英) |
室蘭工業大学 (略称: 室蘭工大)
Muroran Institute of Technology (略称: Muroran Inst. Technol.) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
植杉 克弘 / Katsuhiro Uesugi / ウエスギ カツヒロ |
第2著者 所属(和/英) |
室蘭工業大学 (略称: 室蘭工大)
Muroran Institute of Technology (略称: Muroran Inst. Technol.) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2008-08-04 15:50:00 |
発表時間 |
25分 |
申込先研究会 |
CPM |
資料番号 |
CPM2008-45 |
巻番号(vol) |
vol.108 |
号番号(no) |
no.178 |
ページ範囲 |
pp.19-22 |
ページ数 |
4 |
発行日 |
2008-07-28 (CPM) |