| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-08-05 10:25 超高輝度フィールドエミッションディスプレイの試作 ○長尾昌善・吉田知也・金丸正剛（産総研）・中村和仁・丸島吉久・谷口昌照・伊藤茂生（双葉電子）  ED2008-120 |
|
| 抄録 | （和） | フィールドエミッションディスプレイ（FED）は従来パッシブ駆動されているが，各画素にメモリー機能を付加することで飛躍的に輝度を向上させることが可能となる．他のディスプレイでは実現できないような数万cd/m$^2$も原理的には可能である．本研究では，このような超高輝度FEDをめざして，各画素にTFTを3ヶ有するFEDを試作した．試作したデバイスは電子を放出するフィールドエミッタアレイ（FEA）と，FEAから放出される電流を正確に制御するTFTと，メモリーを構成するキャパシタおよび書き込み制御TFT，さらに，発光期間の制御を行うTFTを同一基板上に集積したものである．今回は，基本的な動作（マトリクス動作）と発光期間を制御できることを確認した結果について報告する． |
| （英） | Field emission display (FED) is currently operated in passive matrix driven mode. By adding a memory function to each pixel of the FED, the luminance can be much more improved. An ultrahigh luminance FED which has a luminance more than 10,000 cd/m$^2$ can be realized by this method. We fabricated field emission display having a memory function, in which FEA and three thin-film transistors (TFTs) are monolithically integrated. The first TFT is an emission-control TFT which control the emission current from the FEA. The second one is a write-enable switch for memory capacitor. The last one is a TFT for discharging the memorized data on capacitor. In this paper, we will report on the fundamental operation of the display prototype and controllability of the luminescent period. | |
| キーワード | （和） | フィールドエミッションディスプレイ / フィールドエミッタアレイ / 高輝度 / 薄膜トランジスタ / / / / |
| （英） | Field emission display / field emitter array / high luminance / thin film transistor / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 177, ED2008-120, pp. 53-58, 2008年8月. | |
| 資料番号 | ED2008-120 | |
| 発行日 | 2008-07-28 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-120 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2008-08-04 - 2008-08-05 |
| 開催地（和） | 静岡大学浜松キャンパス |
| 開催地（英） | Sizuoka Univ. Hamamatsu Campus |
| テーマ（和） | 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-08-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 超高輝度フィールドエミッションディスプレイの試作 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of an ultrahigh luminance field emission display |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | フィールドエミッションディスプレイ / Field emission display |
| キーワード(2)（和/英） | フィールドエミッタアレイ / field emitter array |
| キーワード(3)（和/英） | 高輝度 / high luminance |
| キーワード(4)（和/英） | 薄膜トランジスタ / thin film transistor |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長尾 昌善 / Masayoshi Nagao / ナガオ マサヨシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 知也 / Tomoya Yoshida / ヨシダ トモヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金丸 正剛 / Seigo Kanemaru / カネマル セイゴウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 和仁 / Kazuhito Nakamura / ナカムラ カズヒト |
| 第4著者 所属（和/英） | 双葉電子工業株式会社 (略称： 双葉電子) Futaba Corporation (略称： Futaba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 丸島 吉久 / Yoshihisa Marushima / マルシマ ヨシヒサ |
| 第5著者 所属（和/英） | 双葉電子工業株式会社 (略称： 双葉電子) Futaba Corporation (略称： Futaba) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷口 昌照 / Masateru Taniguchi / タニグチ マサテル |
| 第6著者 所属（和/英） | 双葉電子工業株式会社 (略称： 双葉電子) Futaba Corporation (略称： Futaba) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 伊藤 茂生 / Shigeo Ito / イトウ シゲオ |
| 第7著者 所属（和/英） | 双葉電子工業株式会社 (略称： 双葉電子) Futaba Corporation (略称： Futaba) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-08-05 10:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-120 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.177 |
| ページ範囲 | pp.53-58 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-07-28 (ED) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]