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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-08-05 09:50 シリコン微小電子源のイオンビーム空間電荷中和への応用 ○竹内光明（JSTイノベーションプラザ京都）・後藤康仁・辻 博司（京大）・酒井滋樹（日新イオン機器）・木本恒暢・石川順三（京大）  ED2008-119 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-119 |
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| 抄録 | （和） | 半導体イオン注入用極低エネルギーイオンビームの発散抑制を目的として、シリコン微小電子源(Si-FEA)を用いたイオンビームの空間電荷中和について検討を行なった。検討の結果、Si-FEAの放出電子をイオンビームへ供給することによりイオンの空間電荷が中和され、イオンビームの発散抑制を確認することが出来た。 |
| （英） | We demonstrated a space charge compensation by using a surface-carbonized silicon field emitter array(Si:C-FEA). The Si:C-FEA showed good emission properties in Ne gas atmosphere of 2.0$\times$10$^{-4}$Pa. As a result, decrease of the beam divergence was observed in a case of the electron supply. It was found that the Si:C-FEA is possible candidate for the SCC of the ion-implantation. | |
| キーワード | （和） | イオン注入 / 空間電荷中和 / 電界放出電子源 / シリコン / / / / |
| （英） | ion implantation / space charge compensation / field emitter arrays / silicon / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 177, ED2008-119, pp. 49-52, 2008年8月. | |
| 資料番号 | ED2008-119 | |
| 発行日 | 2008-07-28 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2008-119 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2008-119 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2008-08-04 - 2008-08-05 |
| 開催地（和） | 静岡大学浜松キャンパス |
| 開催地（英） | Sizuoka Univ. Hamamatsu Campus |
| テーマ（和） | 電子管と真空ナノエレクトロニクス及びその評価技術 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2008-08-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | シリコン微小電子源のイオンビーム空間電荷中和への応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Application of silicon field emitter arrays for space charge compensation of low energy ion beam |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | イオン注入 / ion implantation |
| キーワード(2)（和/英） | 空間電荷中和 / space charge compensation |
| キーワード(3)（和/英） | 電界放出電子源 / field emitter arrays |
| キーワード(4)（和/英） | シリコン / silicon |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 光明 / Mitsuaki Takeuchi / タケウチ ミツアキ |
| 第1著者 所属（和/英） | JSTイノベーションプラザ京都 (略称： JSTイノベーションプラザ京都) Innovation Plaza Kyoto, JST (略称： Innovation Plaza Kyoto, JST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 後藤 康仁 / Yasuhito Gotoh / ゴトウ ヤスヒト |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 辻 博司 / Hiroshi Tsuji / ツジ ヒロシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 滋樹 / Shigeki Sakai / サカイ シゲキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日新イオン機器株式会社 (略称： 日新イオン機器) Nissin Ion Equipment, Co. Ltd. (略称： Nissin Ion Equipment) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ |
| 第5著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 順三 / Junzo Ishikawa / イシカワ ジュンゾウ |
| 第6著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-08-05 09:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2008-119 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.177 |
| ページ範囲 | pp.49-52 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-07-28 (ED) |
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