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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-08-28 14:20 サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC ○村田智洋・黒田正行（松下電器）・永井秀一（Panasonic Boston Lab.）・西嶋将明・石田秀俊・柳原 学・上田哲三・酒井啓之・田中 毅（松下電器）・Ming Li（Panasonic Boston Lab.）  MW2008-85 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2008-85 |
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| 抄録 | （和） | サファイア基板上にAlGaN/GaN HFETとマイクロストリップ線路からなる整合回路を集積化した準ミリ波帯増幅器MMICを開発した。高出力パルスレーザーを用いたサファイア基板へのビアホール加工技術を開発することで、マイクロストリップ線路ベースMMICの設計を可能にした。集積したFETは、MOCVD成長装置において結晶成長後に連続成長した、いわゆるin-situ SiN膜をゲート絶縁膜とするMIS型AlGaN/GaN HFET（fmax=203GHz）である。試作したMMICは３段構成で、26GHzで22dB（3dB帯域幅4GHz）を示し、我々が以前報告したコプレーナ線路ベースの２段増幅器MMICに比べ、設計自由度と周波数特性の大幅な向上を確認した。 |
| （英） | We present K-band AlGaN/GaN HFET MMIC amplifiers with integrated microstrip lines on sapphire substrates. The microstrip lines with via-holes through chemically stable sapphire are successfully formed by using a novel laser drilling technique. Integrated AlGaN/GaN MIS-HFETs have in-situ SiN as a gate insulator, which is formed subsequently after the epitaxial growth without any exposure in the air. A typical MIS-HFET shows fmax of 203 GHz. The compact 3-stage amplifier exhibits a small-signal gain as high as 22 dB at 26 GHz with a 3 dB bandwidth of 4 GHz. The presented K-band MMIC would be applicable to future millimeter-wave communication systems. | |
| キーワード | （和） | AlGaN/GaN HFET / MMIC / サファイア / ビアホール / レーザードリル / マイクロストリップ線路 / / |
| （英） | AlGaN/GaN heterojunction FET / MMIC amplifiers / sapphire / via hole / laser drilling / microstrip line / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 195, MW2008-85, pp. 37-40, 2008年8月. | |
| 資料番号 | MW2008-85 | |
| 発行日 | 2008-08-21 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2008-85 エレソ技報アーカイブへのリンク：MW2008-85 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2008-08-28 - 2008-08-29 |
| 開催地（和） | 大阪大学（豊中） |
| 開催地（英） | Osaka-Univ. (Toyonaka) |
| テーマ（和） | マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2008-08-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | K-band AlGaN/GaN-based MMICs on sapphire substrates |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN HFET / AlGaN/GaN heterojunction FET |
| キーワード(2)（和/英） | MMIC / MMIC amplifiers |
| キーワード(3)（和/英） | サファイア / sapphire |
| キーワード(4)（和/英） | ビアホール / via hole |
| キーワード(5)（和/英） | レーザードリル / laser drilling |
| キーワード(6)（和/英） | マイクロストリップ線路 / microstrip line |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村田 智洋 / Tomohiro Murata / ムラタ トモヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器) Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称： Matsushita) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 黒田 正行 / Masayuki Kuroda / クロダ マサユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器) Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称： Matsushita) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永井 秀一 / Shuichi Nagai / ナガイ シュウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | パナソニックボストン研究所 (略称： Panasonic Boston Lab.) Panasonic Boston Laboratory (略称： PBL) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西嶋 将明 / Masaaki Nishijima / ニシジマ マサアキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器) Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称： Matsushita) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石田 秀俊 / Hidetoshi Ishida / イシダ ヒデトシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器) Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称： Matsushita) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳原 学 / Manabu Yanagihara / ヤナギハラ マナブ |
| 第6著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器) Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称： Matsushita) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上田 哲三 / Tetsuzo Ueda / ウエダ テツゾウ |
| 第7著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器) Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称： Matsushita) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 酒井 啓之 / Hiroyuki Sakai / サカイ ヒロユキ |
| 第8著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器) Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称： Matsushita) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 毅 / Tsuyoshi Tanaka / タナカ ツヨシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 松下電器産業株式会社 (略称： 松下電器) Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (略称： Matsushita) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | Ming Li / Ming Li / |
| 第10著者 所属（和/英） | パナソニックボストン研究所 (略称： Panasonic Boston Lab.) Panasonic Boston Laboratory (略称： PBL) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-08-28 14:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2008-85 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.195 |
| ページ範囲 | pp.37-40 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-08-21 (MW) |
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