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講演抄録/キーワード
講演名 2008-09-30 16:20
ウェットプロセスによる有機電界効果トランジスタのゲート構造依存性
広瀬遥平梶井博武阪大)・田村弘毅東京応化)・大森 裕阪大OME2008-49 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2008-49
抄録 (和) フルオレンとチオフェンのコポリマーであるpoly [(9,9-dialkylfluorene - 2,7- dyil)-co-(bithiophene)] (F8T2)を活性層に用いたp型有機トランジスタを作製して、そのゲート構造依存性について検討した。F8T2を異なる溶媒に溶解させてトップゲート型有機トランジスタを作製し、溶媒依存性を調べたところ大きな依存性は確認されなかった。また、トップゲート型有機トランジスタの半導体層-ソース/ドレイン電極界面に界面処理を施すことで未処理のものに比べて注入効率の向上が確認され、移動度に変化はないものの、閾値電圧が0V付近にシフトすることが分かった。界面処理により半導体層-電極におけるエネルギー障壁が緩和されたことが一つの要因と考えられる。対して、ボトムゲート型有機トランジスタを作製したところトランジスタ特性を得ることが出来なかった。C-V特性より、ボトムゲート型有機トランジスタではチャネルの形成が成されていないことが示唆された。 
(英) The gate structure dependence of organic field-effect transistors (OFETs) using poly [(9, 9-dialkylfluorene - 2, 7 - dyil)-co-(bithiophene) ] (F8T2) was investigated. In case of top gate type, firstly, we dissolved F8T2 with different kind of solvent, and inspected the solvent dependency. And we couldn’t obtain any solvent dependency of F8T2. We also investigated the effect of interface treatment between source/drain electrode and active layer. Compared with untreated one, treated one showed more efficient carrier injection and threshold voltage shift toward 0V. This result would be attributed to the fact that interface treatment reduced the barrier energy between electrode and active layer. On the other hand, OFETs fabricated by bottom gate structure didn’t work as a transistor. The result of C-V property suggested that in case of bottom gate type, the channel should not be formed.
キーワード (和) 有機トランジスタ / トップゲート構造 / F8T2 / PVP / 界面処理 / / /  
(英) organic field-effect transistor / top gate structure / F8T2 / PVP / interface treatment / / /  
文献情報 信学技報, vol. 108, no. 225, OME2008-49, pp. 33-36, 2008年9月.
資料番号 OME2008-49 
発行日 2008-09-23 (OME) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OME2008-49 エレソ技報アーカイブへのリンク:OME2008-49

研究会情報
研究会 OME  
開催期間 2008-09-30 - 2008-09-30 
開催地(和) 情報通信研究機構 神戸研究所 
開催地(英)  
テーマ(和) 有機材料・一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OME 
会議コード 2008-09-OME 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ウェットプロセスによる有機電界効果トランジスタのゲート構造依存性 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Gate Structure Dependence of Organic Field Effect Transistor Fabricated by Wet Process 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 有機トランジスタ / organic field-effect transistor  
キーワード(2)(和/英) トップゲート構造 / top gate structure  
キーワード(3)(和/英) F8T2 / F8T2  
キーワード(4)(和/英) PVP / PVP  
キーワード(5)(和/英) 界面処理 / interface treatment  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 広瀬 遥平 / Yohei Hirose / ヒロセ ヨウヘイ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 梶井 博武 / Hirotake Kajii / カジイ ヒロタケ
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 田村 弘毅 / Kohki Tamura / タムラ コウキ
第3著者 所属(和/英) 東京応化工業 (略称: 東京応化)
Tokyo Ohka Kogyo (略称: Tokyo Ohka)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 大森 裕 / Yutaka Ohmori / オオモリ ユタカ
第4著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2008-09-30 16:20:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 OME 
資料番号 OME2008-49 
巻番号(vol) vol.108 
号番号(no) no.225 
ページ範囲 pp.33-36 
ページ数
発行日 2008-09-23 (OME) 


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