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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-10-10 15:45 シリコン酸化膜中に取り込まれたドーパントの影響 ○永嶋賢史・赤堀浩史（東芝）  SDM2008-166 |
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| 抄録 | （和） | 一般的なメモリやCMOSプロセスにおいては、拡散層やゲート電極にリンやボロン、砒素等の不純物をドープしたシリコン材料が用いられる。しかし、昨今の微細化に伴い、ドーパントの拡散・析出による問題が顕在化しつつある。また、従来の水蒸気酸化やドライ酸化に加え、近年ではラジカル酸化などの手法も確立されているが、これら新規酸化手法に対するドーパントの拡散・析出挙動の統一的な報告事例はない。本稿では、MOSキャパシタを試作し、TZDB特性及びTDDB特性の評価を行うと伴に、SIMS法、XPS法を用いて、ドーパントの拡散・析出挙動を評価した。その結果、温度、雰囲気、酸化種など酸化手法、及びドーパント不純物元素の種類に拠り、取り込まれ挙動が異なる事が明らかとなった。さらに、酸化膜中にドーパントが取り込まれる事で、?TZDB特性の劣化、?電子トラップの誘発、など、酸化膜特性へ深刻な影響を与える事が分かった。これら酸化手法によるドーパント取り込まれ挙動と酸化膜特性へ及ぼす影響を詳細に評価する事で、ドーパントによる特性劣化のメカニズムを考察し、ドーパントによる劣化のないシリコン酸化膜の形成手法を提案する。 |
| （英） | In general, the silicon material that has doped impurities such as phosphorus, boron, and arsenic to the diffusion and the gate electrode is used in a general memory and CMOS process. However, the problem by diffusion and the extraction of the dopants is being actualized along with the device shrinkage. Moreover, there is no united report with diffusion and the extraction behavior of the dopants to the new oxidation techniques, radical oxidation has been established in recent years, in addition to the conventional wet oxidation and the dry oxidation. In this report, diffusion and the extraction behavior of the dopants are evaluated by making the MOS capacitor for trial purposes, evaluating the TZDB and the TDDB characteristic, and using the SIMS and the XPS. As a result, we find the thing that it depended on the oxidation technique like the temperature, atmosphere, and the oxidizing species, etc. and kinds of the dopants , behavior is different. In addition, it has been understood to give the serious damage to the oxide film characteristic, ?to deteriorate the TZDB characteristic, ?to form the electronic trap, etc. The mechanism of the characteristic deterioration by the dopants is considered by evaluating the behavior of the dopants by these oxidation and the influences on the oxide film characteristic, and we suggest the oxidation technique of the silicon oxide film without deterioration by the dopants. | |
| キーワード | （和） | 酸化膜 / 不純物 / ドーパント / ラジカル酸化 / 電子トラップ / ＴＺＤＢ / ＳＩＭＳ / ＸＰＳ |
| （英） | SiO2 / Impurity / Dopant / Radical Oxidation / Electron Trap / TZDB / SIMS / XPS | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 236, SDM2008-166, pp. 63-68, 2008年10月. | |
| 資料番号 | SDM2008-166 | |
| 発行日 | 2008-10-02 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2008-166 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2008-10-09 - 2008-10-10 |
| 開催地（和） | 東北大学 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and Novel Process Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2008-10-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | シリコン酸化膜中に取り込まれたドーパントの影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Influence of B and P dopants on SiO2 film characteristics |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化膜 / SiO2 |
| キーワード(2)（和/英） | 不純物 / Impurity |
| キーワード(3)（和/英） | ドーパント / Dopant |
| キーワード(4)（和/英） | ラジカル酸化 / Radical Oxidation |
| キーワード(5)（和/英） | 電子トラップ / Electron Trap |
| キーワード(6)（和/英） | ＴＺＤＢ / TZDB |
| キーワード(7)（和/英） | ＳＩＭＳ / SIMS |
| キーワード(8)（和/英） | ＸＰＳ / XPS |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永嶋 賢史 / Satoshi Nagashima / ナガシマ サトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社 (略称： 東芝) Toshiba Corporation Semiconductor Company (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤堀 浩史 / Hiroshi Akahori / アカホリ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東芝セミコンダクター社 (略称： 東芝) Toshiba Corporation Semiconductor Company (略称： Toshiba) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-10-10 15:45:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2008-166 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.236 |
| ページ範囲 | pp.63-68 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-10-02 (SDM) |
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