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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-10-23 09:25 マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD ○石村栄太郎・中路雅晴・綿谷 力・太田 徹・青柳利隆・石川高英（三菱電機）  OCS2008-48 OPE2008-91 LQE2008-60 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2008-91 LQE2008-60 |
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| 抄録 | （和） | マイクロ波高出力用として、放熱性改善と低容量化のためにpn接合を半絶縁性InPで埋込み、空間電荷効果抑制のために吸収層厚の一部をp型化したInGaAs pin-PDを開発した。1.55um波長の10GHz正弦波変調光入射時の最大マイクロ波出力は115mWが得られた。最大出力は，主に空間電荷効果で発生する抵抗成分で制限されると推定している。 |
| （英） | For microwave applications, we have developed an InGaAs pin PD. Its absorbing layer is buried by a semi-insulated InP layer to reduce the capacitance and thermal resistance. The InGaAs absorbing layer is partially doped by p-type dopant to reduce the space-charge-effect. The maximum output power of 115mW is obtained at 10GHz for the 1.55um wavelength. This value is probably limited by the resistance originated from the space-charge effect. | |
| キーワード | （和） | InGaAs / pin / PD / フォトダイオード / マイクロ波 / / / |
| （英） | InGaAs / pin / PD / photodiode / microwave / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 261, LQE2008-60, pp. 7-10, 2008年10月. | |
| 資料番号 | LQE2008-60 | |
| 発行日 | 2008-10-16 (OCS, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OCS2008-48 OPE2008-91 LQE2008-60 エレソ技報アーカイブへのリンク：OPE2008-91 LQE2008-60 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OCS LQE OPE |
| 開催期間 | 2008-10-23 - 2008-10-24 |
| 開催地（和） | 九州大学 |
| 開催地（英） | Kyushu Univ. |
| テーマ（和） | 超高速 伝送・変復調・分散補償技術，超高速光信号処理技術，広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス，高光出力伝送技術，一般，（ECOC報告） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2008-10-OCS-LQE-OPE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-current InGaAs pin-PD for Microwave output |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaAs / InGaAs |
| キーワード(2)（和/英） | pin / pin |
| キーワード(3)（和/英） | PD / PD |
| キーワード(4)（和/英） | フォトダイオード / photodiode |
| キーワード(5)（和/英） | マイクロ波 / microwave |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石村 栄太郎 / Eitaro Ishimura / イシムラ エイタロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機(株) 高周波光デバイス製作所 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric corp. High Frequency & Optical Device Works (略称： Mitsubishi Electric corp. High Frequency & Optical Device Works) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中路 雅晴 / Masaharu Nakaji / ナカジ マサハル |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機(株) 高周波光デバイス製作所 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric corp. High Frequency & Optical Device Works (略称： Mitsubishi Electric corp. High Frequency & Optical Device Works) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 綿谷 力 / Chikara Watatani / ワタタニ チカラ |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機(株) 高周波光デバイス製作所 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric corp. High Frequency & Optical Device Works (略称： Mitsubishi Electric corp. High Frequency & Optical Device Works) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 太田 徹 / Toru Ota / オオタ トオル |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機(株) 高周波光デバイス製作所 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric corp. High Frequency & Optical Device Works (略称： Mitsubishi Electric corp. High Frequency & Optical Device Works) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 青柳 利隆 / Toshitaka Aoyagi / アオヤギ トシタカ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機(株) 高周波光デバイス製作所 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric corp. High Frequency & Optical Device Works (略称： Mitsubishi Electric corp. High Frequency & Optical Device Works) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 高英 / Takahide Ishikawa / イシカワ タカヒデ |
| 第6著者 所属（和/英） | 三菱電機(株) 高周波光デバイス製作所 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric corp. High Frequency & Optical Device Works (略称： Mitsubishi Electric corp. High Frequency & Optical Device Works) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-10-23 09:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | OCS2008-48, OPE2008-91, LQE2008-60 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.259(OCS), no.260(OPE), no.261(LQE) |
| ページ範囲 | pp.7-10 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-10-16 (OCS, OPE, LQE) |
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