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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-10-24 10:10 SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収 ○飯塚紀夫（東芝）・清水俊匡（東大）・吉田春彦・真名垣暢人（東芝）・ソダーバンル ハッサネット・杉山正和・中野義昭（東大）  OCS2008-69 OPE2008-112 LQE2008-81 |
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| 抄録 | （和） | GaN/AlNサブバンド間遷移スイッチへの応用を目的として、AlNを下部クラッド層、GaNをコア層とし中央に量子井戸層を設け、SiNを上部クラッドとする導波路構造でサブバンド間吸収を実現した。同時に、SiNをクラッドとしたスポットサイズ変換を実証した。この結果は、GaN/AlNサブバンド間遷移光スイッチの動作エネルギー低減可能性、および、集積光デバイスへの適用可能性を示唆するものでもある。 |
| （英） | Intersubband absorption was achieved for a waveguide with SiN as a upper cladding layer. With the purpose of applying to ultrafast optical switches, the waveguide consisted of an AlN lower cladding layer and a GaN core layer with quantum wells inside as well as the SiN upper cladding layer. In addition, spot-size conversion was verified with the SiN cladding. These results lead to the expectation of decrease in the switching energy and to the possibility of realizing integrated photonic devices. | |
| キーワード | （和） | サブバンド間遷移 / 光スイッチ / AlN / SiN / 導波路 / / / |
| （英） | Intersubband transition / Optical switch / AlN / SiN / Waveguide / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 260, OPE2008-112, pp. 113-116, 2008年10月. | |
| 資料番号 | OPE2008-112 | |
| 発行日 | 2008-10-16 (OCS, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OCS2008-69 OPE2008-112 LQE2008-81 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OCS LQE OPE |
| 開催期間 | 2008-10-23 - 2008-10-24 |
| 開催地（和） | 九州大学 |
| 開催地（英） | Kyushu Univ. |
| テーマ（和） | 超高速 伝送・変復調・分散補償技術，超高速光信号処理技術，広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス，高光出力伝送技術，一般，（ECOC報告） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OPE |
| 会議コード | 2008-10-OCS-LQE-OPE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiNを上部クラッドとするGaN/AlN光導波路のサブバンド間吸収 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Intersubband absorption in GaN/AlN-based waveguide with SiN cladding layer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | サブバンド間遷移 / Intersubband transition |
| キーワード(2)（和/英） | 光スイッチ / Optical switch |
| キーワード(3)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(4)（和/英） | SiN / SiN |
| キーワード(5)（和/英） | 導波路 / Waveguide |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 飯塚 紀夫 / Norio Iizuka / イイヅカ ノリオ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 清水 俊匡 / Toshimasa Shimizu / シミズ トシマサ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 先端科学技術研究センター (略称： 東大) Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo (略称： RCAST, The Univ, of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉田 春彦 / Haruhiko Yoshida / ヨシダ ハルヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 真名垣 暢人 / Nobuto Managaki / マナガキ ノブト |
| 第4著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba Corporation (略称： Toshiba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | ソダーバンル ハッサネット / Sodabanlu hassanet / |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京大学工学部 (略称： 東大) Department of Electrical Engineering, The University of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉山 正和 / Masakazu Sugiyama / スギヤマ マサカズ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京大学工学部 (略称： 東大) Department of Electrical Engineering, The University of Tokyo (略称： The Univ. of Tokyo) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中野 義昭 / Yoshiaki Nakano / ナカノ ヨシアキ |
| 第7著者 所属（和/英） | 東京大学 先端科学技術研究センター (略称： 東大) Research Center for Advanced Science and Technology, The University of Tokyo (略称： RCAST, The Univ, of Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-10-24 10:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OPE |
| 資料番号 | OCS2008-69, OPE2008-112, LQE2008-81 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.259(OCS), no.260(OPE), no.261(LQE) |
| ページ範囲 | pp.113-116 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2008-10-16 (OCS, OPE, LQE) |
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