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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2008-10-30 15:20 電気磁気効果発現を目指したCr2O3スパッタ薄膜作製 ○大月俊平・岩田展幸・山本 寛（日大）  CPM2008-85 |
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| 抄録 | （和） | 電気磁気(ME)効果とは電界を印加すると磁化を発生させる現象、あるいは磁場を加えることによって分極を起こす現象である。我々はネール温度が室温以上(308K)である代表的な電気磁気材料のCr2O3に注目した。Cr2O3薄膜はCeO2//Nb-SrTiO3(100)(Nb-STO) (0.5wt.%,Nbドープ)上にoff-axis DC-RF マグネトロンスパッタ法によりCrメタルターゲットを用いて作製された。バッファ層であるCeO2薄膜の作製は同様のスパッタ装置で作製した。Cr2O3薄膜の作製は基板温度510°C～630°Cで行った。基板温度600°Cで作製した膜の結晶性は最も良好で半値幅は0.88 deg、平均面荒さ(Ra)は基板温度560°Cの膜で最も良く、3.31 nmとなった。一方、膜絶縁破壊電圧は結晶性、Raが比較的悪かった基板温度510°Cで作製されたCr2O3薄膜において0.145 MV/cmまで向上した。 |
| （英） | The magnetoelectric (ME) effect is defined as the appearance of magnetization induced by applied electric field and vice versa. A Cr2O3 is focused as a representative magnetoelectric material and/or an antiferromagnetic insulator with the Neel temperature of 308K. The Cr2O3 films were prepared from a Cr metal target by a DC-RF hybrid magnetron sputtering method on CeO2//Nb-SrTiO3(100)(Nb-STO). The buffer CeO2 thin films were made with the same sputtering equipment. Cr2O3 thin films were prepared at substrate temperature, 510°C～630°C. The best Full Width Half Maximum, 0.88 degree and the best average roughness (Ra), 3.31 nm was obtained in the film deposited on 600°C substrates and on 560°C substrates, respectively. On the other hand, the isolation voltage of the film was increased up to 0.145 MV/cm in the inferior crystalline film deposited on 510°C substrates with comparatively high Ra. | |
| キーワード | （和） | 電気磁気効果 / スパッタリング / Cr2O3 / CeO2 / Nb-STO / / / |
| （英） | magnetoelectric(ME) effect / sputtering / Cr2O3 / CeO2 / Nb-STO / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 108, no. 269, CPM2008-85, pp. 59-64, 2008年10月. | |
| 資料番号 | CPM2008-85 | |
| 発行日 | 2008-10-23 (CPM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPM2008-85 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
| 開催期間 | 2008-10-30 - 2008-10-31 |
| 開催地（和） | 新潟大学 |
| 開催地（英） | Niigata Univ. |
| テーマ（和） | 薄膜プロセス・材料、一般 |
| テーマ（英） | Process of Thin Film formation and Materials, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPM |
| 会議コード | 2008-10-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 電気磁気効果発現を目指したCr2O3スパッタ薄膜作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of Sputtered Cr2O3 Thin Films Aiming for Magnetoelectric Effect Appearance |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 電気磁気効果 / magnetoelectric(ME) effect |
| キーワード(2)（和/英） | スパッタリング / sputtering |
| キーワード(3)（和/英） | Cr2O3 / Cr2O3 |
| キーワード(4)（和/英） | CeO2 / CeO2 |
| キーワード(5)（和/英） | Nb-STO / Nb-STO |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大月 俊平 / Shunnpei Ootsuki / オオツキ シュンペイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩田 展幸 / Nobuyuki Iwata / イワタ ノブユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 寛 / Hiroshi Yamamoto / ヤマモト ヒロシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本大学 (略称： 日大) Nihon University (略称： Nihon Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2008-10-30 15:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | CPM |
| 資料番号 | CPM2008-85 |
| 巻番号（vol） | vol.108 |
| 号番号（no） | no.269 |
| ページ範囲 | pp.59-64 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2008-10-23 (CPM) |
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